Vishay推出采用eSMP®系列SMF(DO-219AB)封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器
器件Qrr低至105 nC,VF为1.10 V,在降低开关损耗的同时,可降低寄生电容并缩短恢复时间

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年11月26日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出四款采用eSMP® 系列SMF(DO-219AB)封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3,进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。1 A 和 2 A 整流器针对工业和汽车应用进行了优化,在同类器件中,不仅在反向恢复电荷(Qrr)和正向压降之间实现了权衡,还提供了更低的结电容和更短恢复时间。
日前发布的Vishay整流器包括VS-E7FX0112-M3和VS-E7FX0212-M3,以及符合AEC-Q101标准的VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3。为了降低开关损耗并提高效率,这些器件融合了低至45 ns的快速恢复时间,低至105 nC的Qrr(典型值),低至1.45 V的正向压降和低至3.0 pF的结电容等特点。性能可靠的整流器在尺寸为4.2 mm x 1.4 mm的紧凑封装中提供了高达21 A的非重复峰值浪涌电流,厚度低至1.08 mm,最小爬电距离仅2.2 mm。
器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管,也可用作自举驱动器功能的高频整流器,同时可为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET提供去饱和保护。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车(EV)车载充电器和电机、发电和储能系统,以及Ćuk转换器和工业LED SEPIC电路。
整流器采用平面结构,通过铂掺杂寿命控制,在不影响性能的情况下确保系统的可靠性和稳定性,同时经过优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度减少开关损耗并降低功耗。器件符合RoHS标准,无卤素,潮湿敏感度达到J-STD-020标准1级,可在+175 °C高温下工作。
器件规格表:

最新第7代整流器现可提供样品并已实现量产,订货周期为8周。
关键字:Vishay 整流器
引用地址:
Vishay推出采用eSMP®系列SMF(DO-219AB)封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器
推荐阅读最新更新时间:2026-03-22 13:45
Vishay为其第七代 1200 V FRED Pt@ 超快恢复整流器平台推出新品
器件降低开关损耗并提高效率,Qrr 低至105 nC,VF 低至 1.45 V,结电容低,恢复时间短 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年9月30日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出四款采用eSMP ® 系列SlimSMA HV(DO-221AC)封装的新型器件---VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3,以及通过AEC-Q101认证的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3 ,进一步扩充其第七代1200 V FRED Pt ® 超快恢复整流器平台阵容。1 A和2 A整流器针对工业和汽车应用进行了优化,在同类器件
[电源管理]
Vishay新型TMBS®整流器可显著提高功率密度
日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH) 宣布,推出16款采用eSMP®系列超薄SMP(DO-220AA)封装的新型2 A和3 A器件,扩充其表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor整流器反向电压覆盖从45 V到200 V范围,3 A电流等级达到业内SMP封装器件最高水平,显著提高功率密度。 日前发布的整流器2 A和3 A器件正向压降分别为0.36 V和0.37 V,可降低商用和工业用高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管和极性保护二极管功耗,提高效率。器件还提供适于汽车应用的AEC-Q101认证
[电源管理]
更高效,Vishay推出新型超薄SMF封装TMBS®整流器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出15款采用eSMP®系列超薄SMF (DO-219AB)封装新型1 A、2 A和3 A器件,扩充其表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封装整流器节省空间,反向电压从45 V到150 V,3 A电流等级达到业内SMF封装器件最高水平。 目前,3 A电流等级肖特基整流器一般采用SMA封装。日前发布的器件采用更薄的SMF 封装,具有高正向电流的同时增加功率密度。器件封装尺寸 3.7 mm x 1.8 mm,高度降低至0.98 mm
[电源管理]
Vishay新款整流器可大幅提高功率密度、性能效率和设备可靠
2018 年 3 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的200V FRED Pt® Ultrafast快恢复整流器--- VS-6DKH02-M3 和 VS-8DKH02-M3 ,汽车级 VS-6DKH02HM3 和 VS-8DKH02HM3 。新整流器采用高热效的FlatPAK™ 5x6封装,高度小于1mm。商用 / 工业用的 VS-6DKH02-M3 和 VS-8DKH02-M3 ,以及汽车级 VS-6DKH02HM3 和 VS-8DKH02HM3 , 均进行了2000小时的高温反偏测试 (HTRB),具有长期可靠性、高功率密度和高效率,适
[电源管理]
Vishay 推出业内首先采用MicroSMP封装的TMBS整流器系列
电子网消息,日前 Vishay 宣布,新增10颗采用eSMP®系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间,可替换SOD123W封装的肖特基整流器,反向电压从45V到150V,其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。 目前,2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。今天发布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也可以输出高正向电流,从而提高了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm,高度0.65mm,
[半导体设计/制造]
Vishay 新款SMD肖特基势垒整流器可为汽车和商业应用节省空间
2016年4月8日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出6颗采用超薄DO-219AB(SMF)封装的表面贴装肖特基势垒整流器---SS1FL3、SS2FL3、SS1FL4、SS2FL4、SS1FH10和SS2FH10。Vishay Semiconductors SS1FL3、SS2FL3、SS1FL4、SS2FL4、SS1FH10和SS2FH10可替代SMA和SOD123W封装的器件,而且更省空间,反向电压为30V、40V和100V,额定电流达2A,适用于汽车和商业应用,以及诸如继电器、阀门和变压器等感性负载的续流二极管等工业应用。 整流器的SMF封装典型高度为0.98mm,比传统SMA封装低4
[电源管理]
Vishay推出的新款标准整流器采用薄型SMPD封装
宾夕法尼亚、MALVERN 2015 年 2 月10 日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款通过AEC-Q101认证,电压100V至600V的新款标准整流器---SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1。这三款整流器具有ESD功能,电流等级从10A到20A。为了满足空间受限应用的需求,它们采用了SMPD(TO-263AC)封装,这种封装具有1.7mm的极低高度,占位兼容D2PAK。 在12A电流下,SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1的典型正向压降低至0.96V,
[电源管理]
Vishay发布具有ESD功能和低外形SlimSMA™封装的新款600V标准整流器
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600V标准整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用,新器件可提供2A和3A的正向电流和高电流密度,采用高度仅有0.95mm的表面贴装SlimSMA™ DO-221AC封装。
SE20AFJ和SE30AFJ在2A电流下的典型正向压降达到极低的0.86V,在消费和汽车应用中可减少通用电源线极性保护功耗,并提高效率。器件在AEC-Q101-001人体模型(接触模式)条件下的ESD保
[电源管理]