英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率-电子工程世界

【2024年10月21日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。

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英飞凌CoolGaN™ GS61008P

此次合作将英飞凌的先进氮化镓（GaN）技术与AWL-E创新的兆赫级电容耦合谐振式功率传输系统相结合，实现了行业领先的无线功率效率。英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度，而且可在极高的开关频率下工作。这使AWL-E能够延长系统使用寿命、减少停机时间和运营成本，并提高产品的易用性。汽车行业利用该技术将车内体验和座椅动态性提升到一个新的水平；工业系统则利用该技术获得近乎无限的设计自由，包括自动导引车辆、机器人应用等。此外，由于该技术允许采用全密封系统设计，因此无需配备充电端口，减少了全球电池的使用量。

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AWL-E AgileStation

英飞凌科技电源与传感系统（PSS）事业部全球合作与生态系统管理团队的Falk Herm表示：“通过合作伙伴，我们再次证明了AWL-E能够充分发挥英飞凌CoolGaN™技术的系统级优势，提高紧凑性和效率。AWL-E与英飞凌在能力上形成互补，此次合作展示了GaN可以在兆赫频率下工作的特点，改变了功率晶体管的应用范式，带来了更加环保、性能更好的产品。”

AWL-E联合创始人、副总裁兼业务开发总监Francis Beauchamp-Verdon表示：“英飞凌认为最终需要通过一个强大的产业生态满足当今的功率需求，因此以一种特殊的方式让我们加入他们的大家庭。英飞凌的GaN晶体管、评估板和合作机会使我们基于GaN的兆赫级功率耦合系统得到普及。”

英飞凌是功率半导体市场的领导者，也是目前唯一一家掌握所有功率技术，同时提供全部产品和技术组合的制造商，包括硅器件（例如SJ MOSFET、IGBT）、碳化硅器件（例如肖特基二极管和 MOSFET）和氮化镓器件（增强型HEMT）。其产品涵盖了裸片、分立器件和模块。

关键字：英飞凌氮化镓功率半导体引用地址：英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率

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