一文了解SiC MOS的应用

发布者:EE小广播最新更新时间:2024-06-19 来源: EEWORLD关键字:碳化硅  MOSFET  SiC  半导体 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可以实现更低的开关和导通损耗,同时具有更高的阻断电压和雪崩能力,显著提升系统效率及功率密度,从而降低系统综合成本。


image.png?imageView2/2/w/550

图:SiC/Si器件效率对比


一、行业典型应用


碳化硅MOSFET的主要应用领域包括:充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能源汽车OBC、工业电源、电机驱动等。


1.充电桩电源模块


与下游数量较多的充电桩制造商和运营商不同,目前充电模块行业玩家数量有限。历经过去几年的激烈竞争,行业逐渐出清。目前主流企业仅10家左右,包括特来电、盛弘股份、科华恒盛等为代表的自产自用型;以及英飞源、优优绿能、星源博睿、英可瑞等为代表的外供型两类。


随着新能源汽车800V平台的出现,主流充电模块也从之前主流的15、20kW向30、40kW发展,输出电压范围300Vdc-1000Vdc,并且具备双向充电功能,以达到V2G/V2H等技术要求。因此,越来越多充电模块企业开始采用SiC MOS方案。


image.png?imageView2/2/w/550

图:新能源充电桩中SiC的应用


2.光伏逆变器


在全球可再生能源的大力发展以及“双碳”战略目标的推动下,全球光伏产业迅速扩张,光伏逆变器市场整体也呈现高速发展趋势。根据海关总署数据,从出货情况来看,2023逆变器累计出口99.54亿美元,同比+11%。


经过多年的市场竞争,当前我国光伏逆变器行业已经形成较为集中、整体竞争较为充分的格局。同时,国内知名逆变器品牌仍保持快速增长,出货量及全球市场占有率也在稳步提升。数据显示,2022年全球光伏逆变器供应商出货量市场排名前五的企业是:阳光电源、华为、古瑞瓦特、锦浪科技和SMA。而在研究机构BNEF公布的“全球最具融资价值光伏逆变器品牌”前十名榜单中,也有6家中国逆变器企业入围,其中,正泰电源、华为、阳光电源居于前三,锦浪、特变电工、固德威也位列其中。


image.png?imageView2/2/w/550

图:光伏逆变器中SiC的应用


3.光储一体机


光储一体机采用电力电子控制技术,通过智能控制实现能量转移,协调控制光伏与储能电池,平抑功率波动,并通过储能变流技术输出满足标准要求的交流电能向负载供电,满足用户侧多场景应用,广泛应用于离网光伏电站、分布式后备电源、储能电站等场合。国内光储一体机生产企业主要有:科陆电气、盛弘股份、兴储世纪、时代能创、精石电气、锦宇新能源、智源新能、采日能源、华自科技、邦照电气等。


image.png?imageView2/2/w/550

图:光储一体机中SiC的应用


4.新能源汽车空调


随着800V平台在新能源汽车上的兴起,在汽车空调压缩机控制器方案中,SiC MOS凭借其高压高效、贴片封装体积小等优势,成为市场首选。行业头部客户如弗迪科技、翰昂、华域三电、苏州中成、奥特佳、海立、威灵、上海光裕、重庆超力等。


image.png?imageView2/2/w/550

图:新能源汽车空调中SiC的应用


5.大功率OBC


三相OBC电路中SiC MOS应用更高的开关频率,可以减小磁性元器件体积和重量,提高效率和功率密度,同时高系统母线电压,大大减少功率器件数量,便于电路设计,提高可靠性。


image.png?imageView2/2/w/550

图:大功率OBC中SiC的应用


6.工业电源


工业电源主要应用于如医疗电源、激光电源、逆变焊机、大功率DC-DC电源、轨道牵引机等,需要高压、高频、高效率的应用场景。


二、竞争格局


调研机构Yole报告显示,由于SiC MOS晶圆的产能限制,头部SiC品牌如意法半导体(ST)、英飞凌科技(Infineon)、Onsemi、Wolfspeed和Rohm主力出货市场都集中在新能源汽车行业, 包括电驱、OBC和 DC/DC, 新能源汽车市场在2022年占据功率SiC市场份额的70%,到2028年,预测这一比例将增长至74%。


image.png?imageView2/2/w/550

图:SiC主要应用市场及占比


在国产碳化硅功率器件企业中,基本半导体依托强大的技术团队,以及在车规级SiC模块产品积累的丰富经验,研发推出的第二代SiC MOS在光伏储能、充电桩、工业电源、新能源汽车等领域都有量产出货,广受市场欢迎。


深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化,研发覆盖碳化硅功率半导体的芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节。核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅功率模块、功率器件驱动器及门极驱动芯片等,性能达到国际先进水平。公司在深圳投产6英寸碳化硅芯片产线、无锡投产汽车级碳化硅功率模块专用产线;自主研发的汽车级碳化硅功率模块已收获了近20家整车厂和Tier1电控客户的30多个车型定点,成为国内第一批碳化硅模块量产上车的头部企业;采用自研芯片的碳化硅功率器件已累计出货数千万颗,服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。


三、产品选型表


基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列产品基于6英寸晶圆平台开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。


image.png?imageView2/2/w/550

图:碳化硅MOSFET

image.png?imageView2/2/w/550

图:基本半导体SiC MOSFET产品选型表



四、总结


作为亚太区领先的电子元器件授权代理商Excelpoint世健旗下的全资子公司, Synergy世辉电子继承了良好的技术基因, 能提供一站式的器件硬件支持, 同时也在培养自己的软件工程师,后续还将提供高速电机的软件测试支持, 助力客户建立自主可控的应用开发能力,并缩短项目周期,在激烈的市场中早日占领高地。

         


关键字:碳化硅  MOSFET  SiC  半导体 引用地址:一文了解SiC MOS的应用

上一篇:德州仪器推出先进的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机
下一篇:安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产,供应先进功率半导体

推荐阅读最新更新时间:2026-03-09 00:49

意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制 2024 年 11月 13 日,中国—— 意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。 STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离, 瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV,共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns 。通过采用这种的先进的电隔离技术,STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用,包括充电站、储能系统、
[电源管理]
意法<font color='red'>半导体</font>先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 <font color='red'>SiC</font> <font color='red'>MOSFET</font> 提供灵活的保护功能
安森美半导体推出碳化硅(SiC) MOSFET,完善生态系统
SiC MOSFET支持高能效、小外形、强固和高性价比的高频设计, 用于汽车、可再生能源和数据中心电源系统 推动高能效创新的安森美半导体,推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。 这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统,包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件,以及重要设计资源如器件仿真工具、SPICE模型和应用信息,以帮助设计和系统工程师应对高频电路的开发挑战。 安森
[汽车电子]
安森美<font color='red'>半导体</font>推出<font color='red'>碳化硅</font>(<font color='red'>SiC</font>) <font color='red'>MOSFET</font>,完善生态系统
基于双脉冲测试的SiC MOSFET动态特性优化表征方法
引言 随着碳化硅(SiC)MOS产品的迭代发展,SiC MOS相比于Si 的高频应用潜力得到越来越多的关注。这是由于在开关过程中,得益于SiC MOS的高电子饱和漂移速度,载流子能迅速在导通与截止状态间切换,从而显著减少开关时间。与此同时,SiC MOS这一单极型器件在续流过程中没有p型衬底的电荷存储,使得反向恢复损耗低于Si IGBT这一双极性器件,SiC MOS的反向恢复电荷仅为同规格硅器件的十分之一左右,在应用中可以选择SiC MOS的体作为续流二极管,进一步提升系统的功率密度并降低成本。 为了更好的挖掘SiC MOS的高频应用潜力,业界逐步将双脉冲测试(DPT)作为评估SiC MOS动态特性的标准方法,下面将介绍
[测试测量]
基于双脉冲测试的<font color='red'>SiC</font> <font color='red'>MOSFET</font>动态特性优化表征方法
SiC MOSFET分立器件和功率模块在车载充电器应用中的性能分析
摘要 本文围绕基于SiC分立器件和功率模块的功率因数校正器(PFC)级,分析并比较了二者在车载充电器(OBC)应用中的性能。热性能因素考量和无源元件设计是当今主流的研究课题。本文详述了在不同运行条件下,分立和功率模块的设计约束,同时阐明了相关理论和分析评估,突出了二者在实际OBC设计中的优缺点。借助功率损耗估算工具以及无源元件和热管理系统的物理硬件设计,本文对三相两电平PFC转换器进行了评估。最终的实验验证采用了两个不同的功率平台,两平台均基于6开关PFC级,分别使用高度集成的新型SiC MOSFET功率模块或分立SiC器件(采用HiP247封装)。 01 引言 电动汽车的普及和充电时间的缩短对车载充电器(OBC)的设计提出了
[嵌入式]
<font color='red'>SiC</font> <font color='red'>MOSFET</font>分立器件和功率模块在车载充电器应用中的性能分析
三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用(1)
随着市场需求的不断增长,SiC MOSFET在电动汽车中的应用日益广泛,已经成为推动电动汽车高效能的重要技术之一。本章节主要带你探究三菱电机的SiC MOSFET模块在电动汽车主驱中的应用。 1综述 从1997年开始三菱电机开始进行硅基车载功率模块的开发和量产。最新开发的J3系列SiC模块搭载了三菱电机最新的沟槽栅SiC MOSFET芯片,采用压注模封装工艺和直接端子绑定(DLB)技术,包括T-PM,HEXA-S和HEXA-L三个封装,为电动汽车的主驱逆变器提供高效化、小型化和轻量化的解决方案,可以满足不同客户的需求。 2芯片 J3系列碳化硅模块采用三菱电机最新一代沟槽栅SiC MOSFET芯片,如图1所示,该芯片采用了沟
[嵌入式]
三菱电机<font color='red'>SiC</font> <font color='red'>MOSFET</font>在电动汽车中的应用(1)
首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护
专为下一代电动汽车基础设施而设计,为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案 2024年12月30日讯, 芝加哥—Littelfuse公司是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。 公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列,这是首款上市的非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门用于保护汽车应用中的碳化硅(SiC)MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求,提供一种结构紧凑的单元件解决方案,取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或 TVS 元件。 TPSMB 非对称 TVS 二极管系列为 SiC MOS
[汽车电子]
首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车<font color='red'>SiC</font> <font color='red'>MOSFET</font>  提供卓越的栅极驱动器保护
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术
9 月 3 日消息,“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文,报道称国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时 4 年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,实现我国在该领域的首次突破。 项目背景 碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。 碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构,目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单,元胞一致性较好、雪崩能量比较高;缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中,流过时会产生
[半导体设计/制造]
我国首次突破沟槽型<font color='red'>碳化硅</font> <font color='red'>MOSFET</font> 芯片制造技术
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dV/dt抗扰性能 美国伊利诺伊州芝加哥,2024年5月27日讯-- Littelfuse公司 是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。 公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。 IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出,支持量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置,以实现更高的dV/dt抗扰度和更
[电源管理]
小广播
最新电源管理文章
厂商技术中心

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved