Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产

该笔交易有利于高电压、高功率氮化镓技术的持续发展 

美国加利福尼亚州圣何塞，2024年5月7日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations今天宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。 

此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有力支持。PowiGaN技术已广泛应用于该公司的众多产品系列，包括InnoSwitch™ IC、HiperPFS™-5功率因数校正IC以及最近推出的InnoMux™-2系列单级多路输出IC。该公司已于2023年推出900V和1250V版本的PowiGaN技术和产品。

Power Integrations技术副总裁Radu Barsan博士表示：“自2018年开始出货采用PowiGaN技术的产品以来，Power Integrations一直走在氮化镓开发和商业化的前沿。我们正在实施一项宏伟的产品研发路线，即实现与硅MOSFET成本持平的耐压及功率能力均得到提高的PowiGaN产品。我们的目标是利用氮化镓相对于碳化硅根本上的材料优势，以更低的成本和更高的性能将高电流、高电压氮化镓技术商业化，以支持目前由碳化硅(SiC)所涵盖的更高功率的应用。Odyssey团队在高电流垂直氮化镓方面的经验将增强并推进这些工作的进展，我们很高兴他们能加入我们的团队。”

Odyssey联合创始人兼首席执行官Richard Brown博士补充道：“我和Odyssey团队都很高兴能加入Power Integrations，共同加速他们的氮化镓技术产品的研发过程。作为首家实现高压氮化镓商业化的公司，Power Integrations将在成本、电压电流以及在充分利用氮化镓能力的系统级产品设计方面，继续引领行业并推动技术向前发展。”