瑞萨电子推出性能卓越的新型MOSFET

据外媒报道，先进半导体解决方案供应商瑞萨电子公司（Renesas Electronics Corporation）宣布推出全新100V大功率N沟道MOSFET，为电机控制、电池管理系统、电源管理和充电等应用提供行业领先的大电流开关性能，终端产品包括电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心和不间断电源（UPS）等。

图片来源：Renesas Electronics Corporation

瑞萨电子开发出一种新的MOSFET晶圆制造工艺（REXFET-1），使新器件能够将导通电阻（MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻）大幅降低30%。较低的导通电阻有助于降低客户设计中的功率损耗。

REXFET-1工艺还使新型MOSFET的Qg特性（向栅极施加电压所需的电荷量）降低了10%，Qgd（在米勒平台（Miller Plateau）阶段需要注入栅极的电荷量）降低了40%。

除了卓越的电气特性外，瑞萨电子的新型RBA300N10EANS和RBA300V10EHPF MOSFET还采用行业标准的TOLL和TOLG封装，可与其他制造商的设备引脚兼容，比传统的TO-263封装小50%。TOLL封装还提供用于光学检测的可润湿侧翼。

瑞萨电子分立电源解决方案事业部副总裁Avi Kashyap表示：“瑞萨电子多年来一直是MOSFET市场的领导者。随着我们将自身的制造实力应用到整个市场，我们可以为客户提供卓越的技术产品，以及来自多个大批量工厂的供应保证。”

获奖组合

瑞萨电子已将新型MOSFET与其产品组合中的众多兼容器件相结合，提供了广泛的获奖组合，其中包括48V移动平台和三合一电动汽车装置：逆变器、车载充电器、直流/直流转换器。这些产品设计都是经过技术审核的系统架构，由相互兼容的设备组成，可无缝协作，并实现了优化的低风险设计，从而加快了产品上市时间。