国产SiC MOSFET，正在崛起

SiC（碳化硅），已经成为车企的一大卖点。而在此前，有车企因是否全域采用SiC MOSFET，发生激烈舆论战。可见，SiC这一市场在汽车领域颇有潜力。

不过，近几年国内SiC MOSFET发展飞速，诞生了众多产品，同时陆续过车规，让人眼花缭乱。

所以我们邀请到了众多工程师，分享自己曾经接触过，或者从其他厂商中听到过的SiC产品，并且分享自己对于MOSFET选型时的一些心得，看看有没有心中的那一颗。

基本半导体的碳化硅MOSFET B2M系列产品备受工程师好评，它是一款可用于新能源汽车电机控制器的国产SiC产品。

其具有优秀的高频、高压、高温性能，在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

比如，典型型号B2M065120H，其Vds为1200V，Id（Tc=25°C）为47A，典型Rdson为65mΩ@Vgs=18V，Rth（jc）为0.6K/W，Qs（Gate to Source Charg）为18nC，Qsd（Gate to Drain Charge）为30nC，Qg（Total Gate Charge）为60nC。

据工程师评价，基本半导体的产品目前在国内渗透率非常高。其中，汽车级SiC功率模块产线已实现全面量产，目前年产能达25万只。

泰科天润的1200V 80mΩ SiC MOSFET也受到了EEWorld工程师的推荐，该产品具有更低的导通电阻，更低的开关损耗，更高的开关频率，更高的工作温度， Vth典型值超过3V。应用场景包括，光伏、OBC、UPS及电机驱动等。

据工程师评论，泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产，产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平。

产能方面，泰科天润湖南6寸晶圆线已累计完成超３万片流片和销售，此外北京8寸晶圆线已开工建设，2025年可实现通线投产。

比亚迪在新能源时代无疑逐渐成为王者，而在SiC方面，其表现也非常强劲，甚至有着“车圈Wolfspeed”的称号。

从产品上面来看，工程师们都非常推荐比亚迪半导体的碳化硅MOSFET BSKE040S120。据介绍，比亚迪SiC功率器件包含单管和功率模组两种封装形式。单管产品应用于新能源汽车DC-DC转换模组及AC-DC双向逆变模组；模块产品应用于新能源汽车使电机驱动控制器体积大幅缩小，整车性能在现有基础上大幅提升。

今年，比亚迪宣称，比亚迪新建碳化硅工厂将成为行业最大的工厂，该工厂将会在今年下半年投产，产能规模全球第一，是第二名的十倍。同时，在今年5月还公布，全新一代SiC功率模块采用了“全球首创”的叠层激光焊技术。取代了传统的螺栓连接工艺，从而使得他们HPD模块的杂散电感大幅降低75%，电控最高效率达99.86%，过流能力提高了10% ，实现碳化硅功率模块性能全面跃升。

我国SiC MOSFET增速和成长非常明显，同时在汽车领域也取得了重大的进展：

• 2023年7月10日，派恩杰宣布1700V/1Ω SiC MOSFET 产品已成功应用于国内知名能源汽车企业的主驱逆变器辅助电源项目，并收获该知名新能源车企订单。

• 2023年7月10日，纳芯微宣布了他们的SiC MOSFET产品，全系列具有1200V的耐压能力。该系列产品包括四种规格的Rdson（Vgs=18V），分别为14/22/40/60mΩ，并计划经过全面的车规级认证，以确保完全符合汽车级应用的需求。

• 2023年10月，国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-场效应管）器件也成功获得了AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核。

• 2024年3月8日，瞻芯电子宣布开发的三款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证。

• 2024年3月，蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT近日顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB。

• 2024年12月，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。新品基于车规级工艺平台，兼容18V栅压驱动。

此外，在沟槽型SiC上，国内也有着新突破。今年9月，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历经四年自主研发，成功突破了沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术，标志着我国在这一领域实现了首次重大突破。

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