罗姆推出新型SiC肖特基势垒二极管 适用于高压xEV系统

12月12日，半导体制造商罗姆（ROHM）开发出表面贴装SiC肖特基势垒二极管（SBD），可通过增加端子之间的爬电距离来提高绝缘电阻。初始产品系列包括用于车载充电器（OBC）等汽车应用的八种型号- SCS2xxxNHR，并计划于2024年12月为FA设备和PV逆变器等工业设备部署八种型号-SCS2xxxN。

图片来源：罗姆

快速扩张的xEV市场推动了对功率半导体的需求，其中包括SiC SBD，它们在车载充电器等应用中提供低发热量、高速开关和高压功能。此外，制造商们越来越依赖与自动装配设备兼容的紧凑型表面贴装器件（SMD）来提高制造效率。紧凑型SMD通常具有较小的爬电距离，这使得高压跟踪预防成为一项关键的设计挑战。

作为领先的SiC供应商，罗姆一直致力于开发高性能SiC SBD，提供适用于高压应用的击穿电压，且易于安装。采用优化的封装，新SiC SBD系列实现了5.1mm的最小爬电距离，与标准产品相比，提高了绝缘性能。

此外，新产品还采用原创设计，移除了之前位于封装底部的中心引脚，将爬电距离延长至最小5.1mm，约为标准产品的1.3倍。这最大限度地降低了端子之间产生漏电（爬电放电）的可能性，在高压应用中将器件表面贴装到电路板上时，无需通过树脂灌封进行绝缘处理。此外，这些器件可以安装在与标准和传统TO-263封装产品相同的焊盘图案上，从而可以轻松在现有电路板上进行替换。

提供两种额定电压，分别为650V和1200V，支持xEV中常用的400V系统以及未来有望得到广泛采用的更高电压系统。车规级SCS2xxxNHR符合AEC-Q101标准，确保满足该应用领域要求的高可靠性标准。