报道称三星于华城 17 号产线量产 HBM3 内存，平泽 P4 产线全部转向 DRAM 生产以弥补供应短缺

继消息称三星有望今年第 3 季度开始向英伟达出货后，韩媒 sedaily 报道三星开始已在华城 17 号产线量产并向英伟达供应 HBM3 内存。

此外，为弥补 HBM 供应造成的通用 DRAM 内存供应短缺，平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线。

此前报道，三星平泽 P4 工厂的代工业务已暂缓建设。韩媒称 NAND 闪存产线也没有进一步投资的计划。

业内人士称：目前，P4 是三星（韩国）国内业务中唯一可以增加 DRAM 产能的空间。该公司已经制定了计划，在可以增加半导体产能的空间首先投资 DRAM。