为推动下一代半导体量产，日本拟立法为 2 纳米芯片提供资金-电子工程世界

6 月 5 日消息，据日经新闻今日报道，日本政府将于 6 月下旬敲定的经济财政运营及改革基本方针草案现已公开。为了推动下一代半导体的量产，当地政府纳入了完善相关法律的方针。草案中提到，为了实现下一代半导体的量产，将研究“必要的法制上的”措施。

报道还称，有分析认为草案考虑到了 Rapidus 力争在 2027 年之前量产的 2 纳米半导体。Rapidus 认为量产需要 5 万亿日元（IT之家备注：当前约 2335 亿元人民币），但目前仅确保用于研发的近 1 万亿日元（当前约 467 亿元人民币）补贴，以及来自民间的小额出资。

日本政府内部有意见认为，如果有法律依据可以保证对量产的财政支持，会更容易吸引包括民间资金在内的中长期投资。也有观点主张，为了避免财政纪律松弛，应该在确保稳定财源的宗旨下推进立法。

除此之外，该草案还提出了到 2025 年度力争制定在全部都道府县全年运行自动驾驶计划并实施，以期解决公交车和卡车司机不足的问题。

该草案还提出了到 2029 年致力于提高约 5000 人能力的“技能重塑”方针、力图改变智能手机操作系统垄断，从根本上强化“公正取引委员会”等方针。

据IT之家此前报道，Rapidus 美国子公司 Rapidus Design Solutions 负责人亨利・理查德（Henri Richard）表示，Rapidus 目前对在其 2nm 节点使用的 0.33NA (Low NA) EUV 光刻解决方案“非常满意”。除计划于 2025 年试产、2027 年量产的 2nm 工艺外，Rapidus 内部已对下一阶段 1.4nm 进行了规划。

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