采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

发布者:EE小广播最新更新时间:2024-11-12 来源: EEWORLD关键字:封装  绝缘电阻  ROHM  SiC  肖特基  二极管 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!

ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管


~与普通产品相比,可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~


全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。


image.png?imageView2/2/w/1000


近年来,xEV得以快速普及,对于其配套的OBC等部件而言,功率半导体是不可或缺的存在,因此,市场对发热量少、开关速度快、耐压能力强的SiC SBD的需求日益高涨。其中,小型且可使用贴片机安装的表面贴装(SMD)封装产品,因其可以提高应用产品的生产效率而需求尤为旺盛。另一方面,由于施加高电压容易引发漏电起痕,因此需要确保更长爬电距离的器件。ROHM作为SiC领域的领航企业,一直致力于开发支持高电压应用的耐压能力和可安装性都出色的高性能SiC SBD。此次,通过采用ROHM原创的封装形状,开发出确保最小5.1mm的爬电距离、并具有优异绝缘性能的产品。


新产品去除了以往封装底部的中心引脚,采用了ROHM原创的封装形状,将爬电距离延长至最小5.1mm,约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离,可以抑制引脚之间的漏电起痕(沿面放电)*2,因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时,无需通过树脂灌封*3进行绝缘处理。


目前有650V耐压和1200V耐压两种产品,不仅适用于xEV中广为使用的400V系统,还适用于预计未来会扩大应用的更高电压的系统。另外,新产品的焊盘图案与TO-263封装的普通产品和以往产品通用,因此可以直接在现有电路板上替换。此外,车载设备用的“SCS2xxxNHR”还符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*4。


新产品已于2024年9月开始出售样品(样品价格1,500日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.(福冈县筑后工厂),后道工序的生产基地为ROHM Korea Corporation(韩国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360等电商平台均可购买。


未来,ROHM将继续开发高耐压SiC SBD,通过提供满足市场需求的优质功率元器件,为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。


image.png?imageView2/2/w/1000

<产品阵容>

image.png?imageView2/2/w/1000

<应用示例>


◇车载设备:车载充电器(OBC)、DC-DC转换器等

◇工业设备:工业机器人用AC伺服、光伏逆变器、功率调节器、不间断电源装置(UPS)等


<电商销售信息>


电商平台:Ameya360

新产品在其他电商平台也将逐步发售。

在售产品:车载设备用的“SCS2xxxxNHR”

适用于工业设备的“SCS2xxxxN”预计将2024年12月起逐步发售。


<关于“EcoSiC™”品牌>


EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,已经确立了SiC领域先进企业的地位。


・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。


<术语解说>


*1) 爬电距离

沿着器件封装表面的两个导电体(引脚)之间测得的最短距离。在半导体设计中,为了防止触电、漏电、半导体产品短路,需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。


*2 漏电起痕(沿面放电)

当向作为导体的引脚施加高电压时,绝缘物——也就是封装表面会发生放电的现象。在本来不应该导电的图案之间发生了放电,会导致器件介电击穿。随着封装的小型化,爬电距离变得更短,这种现象也就更容易发生。


*3) 树脂灌封

通过使用环氧树脂等树脂对器件本体以及器件与电路的电极连接部位进行密封,来实现电绝缘。树脂灌封还可以有效地对器件进行保护、防水、防尘、提高耐用性和耐候性。


*4) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”

AEC是Automotive Electronics Council的缩写,是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是适用于分立半导体元器件(晶体管、二极管等)的标准。


关键字:封装  绝缘电阻  ROHM  SiC  肖特基  二极管 引用地址:采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

上一篇:Pickering将在中国国际进口博览会(CIIE)上推出一款革命性的双刀舌簧继电器,极大节省PCB空间
下一篇:Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器

推荐阅读最新更新时间:2026-03-24 14:02

罗姆推出新型SiC肖特基势垒二极管 适用于高压xEV系统
12月12日,半导体制造商罗姆(ROHM)开发出表面贴装SiC肖特基势垒二极管(SBD),可通过增加端子之间的爬电距离来提高绝缘电阻。初始产品系列包括用于车载充电器(OBC)等汽车应用的八种型号- SCS2xxxNHR,并计划于2024年12月为FA设备和PV逆变器等工业设备部署八种型号-SCS2xxxN。 图片来源:罗姆 快速扩张的xEV市场推动了对功率半导体的需求,其中包括SiC SBD,它们在车载充电器等应用中提供低发热量、高速开关和高压功能。此外,制造商们越来越依赖与自动装配设备兼容的紧凑型表面贴装器件(SMD)来提高制造效率。紧凑型SMD通常具有较小的爬电距离,这使得高压跟踪预防成为一项关键的设计挑战。 作
[汽车电子]
<font color='red'>罗姆</font>推出新型<font color='red'>SiC</font><font color='red'>肖特基</font>势垒<font color='red'>二极管</font> 适用于高压xEV系统
罗姆肖特基势垒二极管SiC-MOS模块开始量产
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的 逆变器 、转换器,开始SiC-MOS模块(额定1200V/180A)的量产。该模块内置的功率半导体元件全部由SiC-MOSFET构成,尚属业界首次。额定电流提高到180A,应用范围更广,非常有助于各种设备的低功耗化、小型化。另外,生产基地在罗姆总部工厂(日本京都),已经开始销售样品,预计12月份开始量产并出货。 罗姆无肖特基势垒二极管SiC-MOS模块开始量产 罗姆于2012年3月世界首家实现内置的功率半导体元件全部由碳化硅构成的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)的量产。该产品在工业设备等中的应用与研究不断取得进展
[工业控制]
Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘
这些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封装,提供了低电容电荷和3.2 mm的较大最小爬电距离 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年7月29日 — 日前, 威世科技Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV(DO-221AC)封装的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3 。这些器件采用合并PIN肖特基(MPS)设计,最小爬电距离为3.2 mm,融合低电容电荷
[电源管理]
Vishay Gen 3 650 V和1200 V <font color='red'>SiC</font><font color='red'>肖特基</font><font color='red'>二极管</font>在提高效率的同时增强电<font color='red'>绝缘</font>性
Nexperia推出1200 V SiC肖特基二极管,扩展宽禁带产品组合,赋能大功率基础设施
为高能耗AI服务器集群实现高效功率转换 奈梅亨,2025年7月11日:Nexperia今日宣布, 在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。 PSC20120J和PSC20120L专为满足工业应用中对超低功耗整流器的需求而设计,可在高能效能量转换场景中发挥关键作用。这类器件尤其适用于高功率人工智能(AI)服务器基础设施和电信设备电源及太阳能逆变器的应用。 新款肖特基二极管具备不受温度影响的容性开关和零恢复性能,提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。此外,其开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。这些器件采用的合并PiN肖特基(MPS)结构带来更多优势,例
[电源管理]
Nexperia推出1200 V <font color='red'>SiC</font><font color='red'>肖特基</font><font color='red'>二极管</font>,扩展宽禁带产品组合,赋能大功率基础设施
罗姆开发出业界顶级的超低VF小型肖特基势垒二极管
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管“RBE系列”。 本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。 此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些产品,将非常有助于便携设备节省空间。 生产基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、RO
[电源管理]
<font color='red'>罗姆</font>开发出业界顶级的超低VF小型<font color='red'>肖特基</font>势垒<font color='red'>二极管</font>
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调
在动车或地铁中,机车空调需要有稳定的电力供电,保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时,需要通过后备电池给空调供电。而机车中常规的后备电池电压为直流110V,空调供电通常为直流540V,因此需要升压电源实现电池电压到空调供电电压的变换。 机车空调升压电源拓扑框图如图所示: 机车空调升压电源拓扑框图 其中,电池电压经过电容滤波后,送入H桥逆变电路逆变为高频方波,然后经过高频变压器,次级侧高频整流后供给空调变频器使用。为提高开关频率、减小整机体积,功率器件的开关频率通常达到100kHz以上。这就要求次级侧整流二极管满足100kHz以上高频脉冲的整流,对整流二极管的反向恢复时间、电流有很高的性能要求。 基本半导体的高性能碳
[嵌入式]
40A/1200V<font color='red'>碳化硅</font><font color='red'>肖特基</font><font color='red'>二极管</font>B2D40120HC1用于机车空调
兼容C3D02065E,碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源
LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体,凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点,其使用愈发普遍。 LED显示屏电源是其重要组成部分,一款合格可靠的电源,对LED显示屏节能效果及使用寿命都是有明显的提升效果。LED显示屏电源主要用来给显示屏发光二极管提供必要的工作电流,保证显示屏体正常显示。肖特基二极管整流器因具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力而深受设计师们的喜爱。本文介绍了基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D02065E在LED显示屏驱动电源中的应用。 众所周知,大功率LED显示屏其电光转换效率仅为15%~20%,其余的电能都转化成大量的热量,碳化硅肖特基二
[嵌入式]
兼容C3D02065E,<font color='red'>碳化硅</font><font color='red'>肖特基</font><font color='red'>二极管</font>B1D02065E助力LED显示屏电源
Littelfuse碳化硅肖特基二极管助力降低能源成本和空间要求
提高电源转换效率可为数据中心、电动车充电器和可再生能源系统削减成本 中国,北京,2018年6月22日讯 - Littelfuse公司,今天宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二极管,扩充其碳化硅电源半导体产品组合。 相比硅二极管,GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。 本次产品发布于纽伦堡举行的PCIM 2018欧洲展会期间举办。 GEN2系列1200 V、3L TO-247和2L TO-263肖特基二极管 碳化硅技术的高效性为电动汽车充电器、数据中心电源和可再生能源系统的设计师提供
[电源管理]
Littelfuse<font color='red'>碳化硅</font><font color='red'>肖特基</font><font color='red'>二极管</font>助力降低能源成本和空间要求
小广播
最新电源管理文章
厂商技术中心

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved