半导体激光器面向VCSEL的干法工艺流程解析-电子工程世界

作为自动驾驶所需的LiDAR等3D传感技术的光源，半导体激光器的市场变得活跃起来。其中之一是具有小型化、节能等优点的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介绍面向VCSEL的干法工艺。

VCSEL制造工艺

1. 外延生长

在GaAs（砷化镓）衬底上，通过分子束外延生长由

多个周期的AlGaAs（砷化铝镓）/GaAs层堆叠在一起的

AlGaAs/GaAs系DBR（分布反射型Distributed

Bragg Reflector）。

2. Patterning＆Mask形成

为了将外延层做成被称为 Mesa 的圆柱形，制作一个掩模图案。

3. Mesa加工

用干法蚀刻进行Mesa加工。

4. 氧化狭窄＆保护膜形成

活性层附近设计的特定AlGaAs层通过湿法氧化而氧化狭窄

（氧化狭窄层作为电流和光的封闭结构，

成为影响VCSEL特性的非常重要的层）。另外，沉积Mesa侧壁保护膜。

5. 电极形成

n型、p型电极形成。

关键字：半导体激光器 VCSEL 引用地址：半导体激光器面向VCSEL的干法工艺流程解析

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