电动汽车或成为碳化硅器件最大的应用市场

发布者:RadiantEyes最新更新时间:2024-11-06 来源: elecfans关键字:电动汽车  碳化硅器件 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

数据显示,预计到2027年,汽车市场导电型碳化硅功率器件规模达49.86亿美元,占比79.2%,能源、工业和交通应用市场占比分别降至7.3%,8.7%和3.0%。  


按照电学性能的不同,碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件,两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。

其中,导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成,包括造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等,主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网数据中心、充电等领域。


Yole数据显示,2021年汽车市场导电型碳化硅功率器件规模达6.85亿美元,占比62.8%,能源、工业和交通应用市场占比分别为14.1%,11.6%和7.2%。预计到2027年,汽车市场导电型碳化硅功率器件规模达49.86亿美元,占比79.2%,能源、工业和交通应用市场占比分别降至7.3%,8.7%和3.0%。

612f1bf4-ee40-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg?imageView2/2/w/1000

图:2027 年导电型碳化硅功率器件下游应用占比预测  

据相关市场报告,在多种应用领域当中,碳化硅功率器件在电动汽车领域的市场增速高于高压充电桩、光伏发电和交通轨道领域,需求量大大增加。

我们知道,碳化硅在电动汽车领域主要用于主驱逆变器、车载充电系统(OBC)、电源转换系统(车载 DC/DC)和非车载充电桩。  

特别是在电动汽车主驱逆变器中,相比Si-IGBT,碳化硅MOSFET具有明显优势。

一是碳化硅MOSFET功率转换效率更高,电动汽车续航距离可延长5-10%,即在同样续航里程的情况下可削减电池容量,降低电池成本;

二是碳化硅MOSFET的高频特性可使逆变器线圈、电容小型化,电驱尺寸可大幅减少,可听噪声的降低能减少电机铁损;

三是碳化硅MOSFET可承受更高电压,在电机功率相同的情况下可以通过提升电压来降低电流强度,从而使得束线轻量化,节省安装空间。  

虽然当前碳化硅器件单车价格高于Si-IGBT,但上述优势可降低整车系统成本。以特斯拉Model 3为例,其首次将Si IGBT替换为SiC器件,汽车逆变器效率大幅提升。

当前比亚迪、蔚来、小鹏、保时捷等车厂正在转向在电驱中使用碳化硅MOSFET器件,而且在车厂逐渐形成趋势。  

截至2022年底,全国新能源汽车保有量达1310万辆,占汽车总量的4.10%,同比增长 67.13%。

其中,纯电动汽车保有量1045万辆,占新能源汽车总量的79.78%。

根据全球碳化硅领域龙头厂商Wolfspeed公司的预测,到2026年汽车中逆变器所占据的碳化硅价值量约为83%,是电动汽车中价值量最大的部分;其次为OBC,价值量占比约为15%;DC-DC转换器中,SiC价值量占比在2%左右。    


关键字:电动汽车  碳化硅器件 引用地址:电动汽车或成为碳化硅器件最大的应用市场

上一篇:深度解析自动驾驶的双目3D感知视觉方案
下一篇:一种基于目标的可解释的自动驾驶预测和规划策略

推荐阅读最新更新时间:2026-03-25 18:40

SiC器件如何提升电动汽车的系统效率
新能源车的功率控制单元(PCU)是汽车电驱系统的中枢神经,管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。 传统 PCU 使用硅基材料半导体制成,强电流与高压电穿过硅制晶体管和二极管的时的电能损耗是混合动力车最主要的电能损耗来源。 而使用 SiC 则大大降低了这一过程中能量损失,同时也可以大幅降低器件尺寸,车身可以设计得更为紧凑。 * 使用 SiC 体积大大减小 使用 SiC 体积与重量大大减小 SiC 器件对电动汽车用处 SiC器件对电动汽车的用处主要体现在以下几个方面: 性能提升:SiC器件可以提高电动汽车的充电模块性能,包括提高频率、降低损耗、缩小体积以及提升效率等。这有助于提升电动汽车的整体性能表现。 电机控制
[嵌入式]
<font color='red'>SiC</font><font color='red'>器件</font>如何提升<font color='red'>电动汽车</font>的系统效率
英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性,为客户带来更高灵活度
英飞凌与罗姆签署谅解备忘录,约定互为采用特定碳化硅(SiC)半导体产品的客户提供第二供应商支持 未来,客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换,从而提升设计与采购的灵活性 此类产品能提高汽车车载充电器、可再生能源及AI数据中心等应用场景中的功率密度 【2025年9月25日,德国慕尼黑与日本京都讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格,以下简称“英飞凌”)今日宣布,与全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作,推动彼此成为SiC功
[电源管理]
英飞凌与罗姆携手推进<font color='red'>SiC</font>功率<font color='red'>器件</font>封装兼容性,为客户带来更高灵活度
碳化硅器件在车载充电机(OBC)中的性能优势
随着电动汽车的普及,车载充电装置(OBC,即On-Board Charging Unit)的重要性日益凸显。它不仅负责为电动汽车提供电力,还负责管理电池的充电状态,以确保电池的寿命和性能。因此,OBC的性能直接影响到电动汽车的使用体验。 新能源汽车的高速发展,智能化、轻量化、集成化将是电动汽车发展的趋势,OBC直接决定了新能源汽车的安全性和稳定性,它的功率密度直接影响整车的质量、续航里程、充电时间等。 碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、抗辐射等优异性能采用碳化硅功率器件可使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%,在OBC产品上使用碳化硅功率器件对于提升OBC产品效率、功率密度和质量密度上发挥着重要
[嵌入式]
<font color='red'>碳化硅</font><font color='red'>器件</font>在车载充电机(OBC)中的性能优势
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
1200 V器件采用SMD-7封装,性能领先同类产品 奈梅亨,2024年5月23日: Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。 这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。 随着NSF0xx120D7A0的发布,Nexperia正在满足市场对采用D2PAK-7等SMD封装的
[电源管理]
Nexperia出色的<font color='red'>SiC</font> MOSFET分立<font color='red'>器件</font>采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
安森美和极氪签署碳化硅功率器件长期供应协议
安森美EliteSiC器件将助力极氪提升其智能电动汽车(EV)续航里程 2023 年 4 月 26日— 智能电源和智能感知技术的领导者安森美和豪华智能纯电品牌极氪智能科技(ZEEKR)宣布双方签署长期供应协议(LTSA) 。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅(SiC)功率器件,以提高其智能电动汽车(EV)的能效,从而提升性能,加快充电速度,延长续航里程。 极氪将采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET,以配合其不断扩大的高性能纯电车型产品阵容,实现更强的电气和机械性能及可靠性。这些功率器件提供更高的功率和热能效,从而减小其电动汽车主驱逆变器的尺寸与重量,并提高续航里程。 极氪智能科技C
[电源管理]
安森美和极氪签署<font color='red'>碳化硅</font>功率<font color='red'>器件</font>长期供应协议
宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估
摘要: 本文介绍了在车载OBC,高压转电压DCDC应用中宇宙辐射对高压功率半导体器件可靠性的影响,评估。 关键词: OBC;DCDC;宇宙辐射;FIT 引言: 汽车行业发展创新突飞猛进,车载充电器(OBC)与DCDC转换器(HV-LV DC-DC)的应用因此也迅猛发展,同应对大多数工程挑战一样,设计人员把目光投向先进技术,以期利用现代超结硅(Super Junction Si)技术以及碳化硅(SiC)技术来提供解决方案。在追求性能的同时,对于车载产品来说,可靠性也是一个重要的话题。 在车载OBC/DCDC应用中,高压功率半导体器件用的越来越多。对于汽车级高压半导体功率器件来说,门极氧化层的鲁棒性和宇宙辐射鲁棒
[电源管理]
宇宙辐射对OBC/DCDC中高压<font color='red'>SiC</font>/Si<font color='red'>器件</font>的影响及评估
赛米控与罗姆就碳化硅功率元器件展开新的合作
罗姆的碳化硅技术助力赛米控用于下一代电动汽车的 eMPack®功率模块 赛米控(总部位于德国纽伦堡)和全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)在开发碳化硅(SiC)功率模块方面已经开展了十多年的合作。 此次,罗姆的第4代SiC MOSFET正式被用于赛米控的车规级功率模块“eMPack®”,开启了双方合作的新征程。此外,赛米控宣布已与德国一家大型汽车制造商签署了10亿欧元的合作合同,从2025年起将为这家客户供应这种创新型功率模块“eMPack®”,未来,罗姆与赛米控将会继续携手为全球客户提供高品质服务。 eMPack®功率模块旨在充分发挥新型半导体材料的特性、并专为中高功率的碳化硅逆变器而设计。利用赛米控
[电源管理]
赛米控与罗姆就<font color='red'>碳化硅</font>功率元<font color='red'>器件</font>展开新的合作
Wolfspeed全球首座200mm SiC工厂盛大开业,提升备受期待的器件生产
Wolfspeed 全球首座 200mm SiC 工厂盛大开业,提升备受期待的器件生产 位于美国纽约州的新工厂扩大 Wolfspeed 制造产能 满足从汽车到工业等诸多应用对于 SiC 器件急剧增长的需求 碳化硅(SiC)技术和制造的全球引领者 Wolfspeed, Inc. 宣布其位于美国纽约州莫霍克谷(Mohawk Valley)的采用领先前沿技术的 SiC 制造工厂正式开业。这座 200mm 晶圆 工厂将助力推进诸多产业从 Si 基产品向 SiC 基半导体的转型。 纽约州州长 Kathy Hochul 莅临现场并预祝 Wolfspeed 在莫霍克谷(Mohawk Valley)大展宏图。Lucid Moto
[电源管理]
Wolfspeed全球首座200mm <font color='red'>SiC</font>工厂盛大开业,提升备受期待的<font color='red'>器件</font>生产
小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

厂商技术中心

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved