概述

本章主要GPIO输出模式下不同配置的说明。最近在弄ST和GD的课程，需要样片的可以加群申请：615061293。

生成例程

使用STM32CUBEMX生成例程，这里使用NUCLEO-L476RG开发板,因为我这只有这款板子的主频较快。

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不同速率对应的波形

以PC3为例，在推挽输出无上下拉情况下，输出速率主要有4种，一般的低端MCU只有3种，没有Very High。

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LOW速率

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Medium速率

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High速率

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Very High速率

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可以看到，在不同速率下，端口的反应速度不一样，设置最大输出速率越大，响应越快，对应的噪声也就越大。

输出方式

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在上图中，P-MOS带了一个⚪，说明是低电平导通。

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上图是GPIO的示意图，有输入和输出，如果简化为输出，则如下所示。

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模拟文件下载

https://download.csdn.net/download/qq_24312945/85250172

推挽输出

推挽输出的内部电路大概是下图这个样子，由一个P-MOS和一个N-MOS组合而成，同一时间只有一个管子能够进行导通。

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当输出高电平时候，P-MOS导通，N-MOS截至，此时电源电流入R5。

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当输出低电平时候，N-MOS导通，P-MOS截至，此时电流流入R5的为0。

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线与

推挽输出高电平与电源电压基本上没有压差高低电平的驱动能力较强，推挽输出的电流都能达到几十mA。但是无法进行线与操作，做进行线与操作，那么电源和地就会短路，因为mos管电阻很小。看下图可以得知，电流通过Q3的P-MOS流到Q2的N-MOS，最终回到地。

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开漏输出

开漏输出又叫漏极开漏输出简化后可以看作如下的示意图。

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若还是使用上面推挽的电路图，当N-MOS为低电平时候，那么他的输出就是一个高阻态。可以看到，R5没有电流通过，电压也是接近于0，所以GPIO无法对外输出高电平。

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此时需要增加一个上拉，这样的话上拉的电流就会流出去。所以在开漏输出情况下，需要增加一个上拉才能进行输出高电平。

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对于输出低电平，他和推挽输出差不多，电流通过N-MOS流到地中。

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上图是没有增加上拉，但是开漏输出模式都需要增加，增加上拉之后如下图所示。电流通过N-MOS流回地中。

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输出电压

由于推挽输出在输出的时候是通过单片机内部的电压，所以他的电压是不能改变的。但是开漏输出是通过外部上拉的电压，所以可以改变开漏输出模式下的电压大小。下图是当上拉为5V时候，也是可以驱动出去的，这个上拉电压最大值需要看单片机的耐压。

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关键字：STM32CUBEIDE 速率测试开漏引用地址：STM32CUBEIDE（3）----GPIO输出模式，速率测试、开漏和输出说明

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