消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶-电子工程世界

5 月 30 日消息，随着 DRAM 小型化的不断推进，SK 海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。

据 TheElec，SK Hynix 计划在第 6 代（1c 工艺，约 10nm）DRAM 的生产中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是 MOR 首次应用于 DRAM 量产工艺。

消息人士称，SK Hynix 量产的 1c DRAM 上有五个极紫外 (EUV) 层，其中一层将使用 MOR 绘制。他还补充说，“不仅 SK 海力士，三星电子也将追求这类无机 PR 材料。”

IT之家查询公开资料获悉，Inpria 是日本化学公司 JSR 的子公司，也是无机光刻胶领域的领导者；而 MOR 则被认为是目前用于先进芯片光刻的化学放大光刻胶（CAR）的下一代产品。

此外，该公司自 2022 年以来就一直与 SK Hynix 合作进行 MOR 研究。SK Hynix 此前曾表示，使用 Sn（基）氧化物光刻胶将有助于提高下一代 DRAM 的性能并降低成本。

TheElec 报道还指出，三星电子也在考虑将 MOR 应用于 1c DRAM，目前三星电子在 1c DRAM 上应用了 6 至 7 个 EUV 层，而美光则只应用了 1 层。

关键字：SK海力士 DRAM 光刻胶引用地址：消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶

上一篇：曝台积电明年量产2nm工艺：苹果首发
下一篇：曝台积电3nm产能供不应求：骁龙8 Gen4要涨价

推荐阅读最新更新时间：2026-03-14 15:47

消息称 SK 海力士有望 2 月启动业界最先进 1c nm 制程 DRAM 内存量产

1 月 17 日消息，韩媒 MT（IT之家注：全称 MoneyToday）当地时间今日报道称，SK 海力士近日已成功完成内存业界最先进 1c 纳米制程 DRAM 的批量产品认证，连续多个以 25 块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求。 SK 海力士有望在完成量产交接手续后于 2 月初正式启动 1c 纳米 DRAM 量产。 SK 海力士在 2024 年 8 月末宣布成功实现 1c 纳米工艺的 16Gb DDR5-8000 DRAM 内存开发。而从开发成功到量产的约半年时间也符合 DRAM 内存行业的一般新制程量产时间表。 SK 海力士的两大竞争对手三星电子和美光目前都尚未官宣第六代 10 纳米级 DRAM 内存，这意味着 SK

[半导体设计/制造]

DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（当前约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。报道中指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND 闪存的产量提高 24%，而 SK 海力士的目标是将 DRAM 产能提高到 2022 年年底水平。根据集邦咨询公布的 2023 年第 3 季度营收数据，

[半导体设计/制造]

SK海力士将向英伟达供应业界首款HBM3 DRAM

首尔，2022年6月9日，SK海力士（或称“公司”，www.skhynix.com）宣布公司开始量产 HBM3——拥有当前业界最佳性能的 DRAM。 * HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统 DRAM。HBM3 DRAM 是第四代 HBM 产品，此前三代分别为 HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及 HBM2E（第三代）。 SK海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款 HBM3 DRAM，时隔七个月即宣布开始量产，这有望进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位。随着人工智能和大数据等尖端技术

[手机便携]

<font color='red'>SK</font><font color='red'>海力士</font>将向英伟达供应业界首款HBM3 <font color='red'>DRAM</font>

SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM

SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术*，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E* DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3，巩固了该市场的主导权。 SK海力士强调，“通过此次HBM3，不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，还大幅提高了质量水平。” SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB)。与上一代HBM2E相

[半导体设计/制造]

<font color='red'>SK</font><font color='red'>海力士</font>开发业界第一款HBM3 <font color='red'>DRAM</font>

SK海力士开始量产用EUV技术的第四代10纳米级DRAM

韩国首尔，2021年7月12日SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com）宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移动端DRAM产品。 * LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR” 为电子工程设计发展联合协会（Joint Electron Device Engineering Council，简称JEDEC）规定的DRAM规格标准名称，DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。自从10纳米级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士

[手机便携]

SK海力士使用EUV大规模生产1anm DRAM

内存厂商的新战斗正在悄悄打响，现在SK海力士官方给出消息称，开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。按照官方的说法，公司的第四代10nm（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移动端 DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年7月初开始量产。 SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端 DRAM。在这之前，三星和美光也都表示，将启用EUV光刻机闪存内存芯片之后，不过美光时间上要更晚一些，其要在2024年生产新的EUV内存芯片。去年SK海力士宣布斥资90亿美元（约合600亿元）收购Intel闪存部门，合并之后有望成为仅次于三星的第二大闪存巨头，六大原厂将减少为五家。

[半导体设计/制造]

<font color='red'>SK</font><font color='red'>海力士</font>使用EUV大规模生产1anm <font color='red'>DRAM</font>

华为事件及DRAM芯片价格下降双重打击下！SK海力士或亏损

据The Investor报道，由于越来越担忧中美贸易战升级所带来的负面影响，存储芯片巨头SK海力士正在放慢其在中国工厂生产的步伐。这家韩国芯片制造商计划在今年4月工厂完工后，于第三季度在无锡启动名为C2F的新DRAM制造工厂的全面运营。 SK海力士花费9500亿韩元在两年多的时间里建造了这座工厂，这是自2006年以来运行的现有C2存储芯片设施的补充。它的目标是推出基于更精细制造技术的DRAM芯片。一位不愿透露姓名的业内人士表示:“由于市场环境不利，这座工厂全面加速的时间表被推迟了。”这暗示，推迟时间与华为等中国合作伙伴的存储芯片需求下降相符。 SK海力士去年在中国的销售额为15.8万亿韩元

[手机便携]

SK海力士发表全球首款DDR5 DRAM

芯科技消息（文/西卡）SK海力士15日发布二代10纳米16Gb DDR5的DRAM，成为全球存储半导体业当中第一家开发出适用DDR5规格的DRAM，并预计从2020年正式投入量产。 DDR5是继DDR4的之后，新一代DRAM标准规格，应用在大数据、AI（人工智能）以及机器学习上，拥有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的电力消耗减少30％，数据传送速度也快了1.6倍。据韩媒《ZDNet Korea》报导，SK海力士15日发表全球首款二代10纳米16Gb DDR5的DRAM，并符合国际半导体标准协议机构（JEDEC）所制定的规格。这是继第二代10纳

[手机便携]