意法半导体推出Page EEPROM二合一存储器 提升智能边缘设备的性能和能效

意法半导体推出Page EEPROM二合一存储器

提升智能边缘设备的性能和能效

新存储器兼备串行闪存的读取速度与EEPROM的字节级写操作灵活性，实现真正的两全其美

2024 年 10 月 15 日,中国—— 意法半导体的 Page EEPROM兼备EEPROM存储技术的能效和耐用性与闪存的存储容量和读写速度，为面临极端尺寸和功率限制的应用场景提供了一个混合存储器。

嵌入式系统需要支持日益复杂的先进功能，运行数据密集型的边缘 AI 算法，意法半导体的新存储器可以满足嵌入式应用对存储容量的日益增长的需求。例如，在耳背式助听器中，Page EEPROM可以降低物料清单成本，让助听器变得更纤薄，佩戴更舒适。

除了可穿戴设备外，Page EEPROM 还是医疗设备、资产追踪器、电动自行车以及其他工业和消费产品等应用的理想选择。意法半导体 EEPROM 产品线经理 Philippe Ganivet 表示：“智能边缘技术发展迅速，正在深刻改变市场对嵌入式存储器的容量、性能和功耗的需求。我们的新 Page EEPROM是一个非常好的超低功耗存储器，是电池供电的远程物联网模块微控制器的理想搭档。”

BitFlip Engineering公司是新系列存储器芯片的首批用户，该公司的业主 Patrick Kusbel表示：“ST的Page EEPROM是一个真正地实现了两全其美的的非易失性存储器解决方案，当我们在开发新一代旗舰系列产品时，包括 GPS 追踪器、物联网设备，以及其他的所有的需要高性能、高可靠性、小尺寸和低功耗的设计，新系列存储器让我们能够实现预设的大目标。M95P的读取速度是我们以前用的存储器的50 倍，而功耗却只有十分之一，产品可靠性提高了四倍，可擦写次数达到50万次，而我们以前用的产品的耐擦写能力只有10万次，这是一个颠覆性的改变。”

意法半导体Page EEPROM系列的容量分为8Mbit、16Mbit 和 32Mbit，大大高于标准 EEPROM产品的存储容量。嵌入式智能页面管理允许进行字节级写操作，适合数据记录等数据处理，同时还支持页面/扇区/块擦除和高达 512 字节的页面写操作，可以高效处理固件无线 (OTA) 更新需求。新系列存储器还允许进行缓存载入操作，同时向多个页面写入数据，以缩短在生产线上安装软件的时间。320 Mbit/s 的数据读取速度大约是标准 EEPROM 的16 倍，而 50万次耐擦写能力是传统串行闪存的几倍。

Page EEPROM还具有新颖的峰值电流控制功能，可最大限度地降低电源噪声，延长电池供电设备的续航时间。写入电流低于许多传统 EEPROM，并且还有深度断电模式和快速唤醒功能，可将工作电流降至 1µA 以下。

新系列产品的数据保存期长达100 年，并享受意法半导体10年产品寿命保障计划，保证该系列产品长期供货。

X-NUCLEO-PGEEZ1扩展板和 X-CUBE-EEPRMA1 软件包现已上市，供用户可学习如何与 Page EEPROM交互，如何使用该系列产品设计开发应用。在软件包中有一个展示如何测试该存储器的混合架构，快速构建概念验证的演示应用程序。

M95P08、M95P16 和 M95P32 Page EEPROM 现已投产。X-NUCLEO-PGEEZ1现已在意法半导体网站eSTore上架开售。