三星电子 NRD-K 半导体研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备-电子工程世界

11 月 20 日消息，三星电子韩国当地时间本月 18 日举行了位于器兴园区的 NRD-K 新半导体研发综合体的进机仪式，标志着这一 2022 年动工的研发中心开始设备安装。

NRD-K 半导体研发综合体占地面积 10.9 万平方米，将成为三星电子 DS 部下属三大事业部（存储器、系统 LSI 和 Foundry）的共同核心研发基地，到 2030 年这一项目将累计获得约 20 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1039.2 亿元人民币）的投资。

NRD-K 还将包含一条研发专用线，该产线将于 2025 年中投入使用。

三星电子 NRD-K 半导体研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备

▲ NRD-K 工地。图源三星电子官网，下同

NRD-K 综合体将导入 ASML High NA EUV 光刻机、新材料沉积设备在内的一系列最先进半导体生产工具，旨在加速 3D DRAM、千层 V-NAND 在内的下代存储芯片开发，还将建设 WoW 晶圆键合基础设施。

三星 DS 部负责人全永铉在仪式上表示：

通过 NRD-K，我们将建立从基础研究到量产的下一代半导体技术的良性循环体系，从而大幅提高开发速度。
我们将从三星电子半导体 50 年历史的起点器兴出发，为实现新的飞跃奠定基础，并创造新的百年未来。

三星电子 NRD-K 半导体研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备

▲ 正在演讲的全永铉

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