活动一:直播 | 英飞凌 PCIM 现场论文解读
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董洁
对于并联SiC MOSFET,存在电流不平衡、热性能差异、过电压等诸多技术难题。本文对不同参数对并联SiC MOSFET电流分担的影响进行了理论分析和数学计算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,研究了不同参数对电流共享的影响。最后给出了驱动电路的设计建议和栅极电阻的设计方法。
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魏作宇
工商业侧储能正以其经济性,电网友好性等特点蓬勃发展,其中离网应用场景下,不平衡负载带载能力,谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。三相四桥臂(3P4L)变流器具有最强的不平衡负载能力,但对比三相三线(3P3W)系统,成本增加,谐波畸变度更高。SiC MOSFETs由于其优越的材料特性与器件特性,相较IGBT可大幅提升开关频率,本文通过理论分析结合仿真结果说明SiC MOSFETs更加适用于三相四桥臂变流器,是更具性价比的方案选择。
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吴旗斌
本次解读的论文分析了系统寄生参数对 SiC(碳化硅)器件使用的影响,包括电流过充的原因、系统振荡机理以及对 SiC 器件开关损耗的影响,主要从各开关管和续流二极管的主要影响角度进行分析。强调在系统设计过程中,除了寄生电感对功率器件电压应力的影响外,还需要格外注意系统寄生电容的影响。
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波老师
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IPAC直播常驻主持人
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赵佳
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英飞凌现场应用工程师,主要方向为IGBT与宽禁带功率半导体器件测试应用相关技术
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花文敏
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英飞凌现场应用工程师,有丰富的IGBT,SiC MOS单管应用经验,对中小功率的光伏储能系统有较为深入的理解
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吴旗斌
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英飞凌技术资源中心技术支持,主要从事电力电子技术方面的研究应用工作
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魏作宇
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英飞凌现场应用工程师,专注于IGBT, 碳化硅等功率器件在电网输配电,光伏,储能,风电等工业基建领域的应用问题
英飞凌是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程,实现绿色高效的能源、环保安全的交通出行以及智能安全的物联网。英飞凌在全球拥有约58,060名员工(截至2024年9月底),在2024财年(截至9月30日)的营收约为150亿欧元。
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