您现在的位置>>白皮书 > 测试测量 > 用4200-SCS型半导体特性分析系统进行电荷泵浦测试(英文)
用4200-SCS型半导体特性分析系统进行电荷泵浦测试(英文)
Charge pumping (CP) is a well-known measurement technique for analyzing the semiconductor–dielectric interface of MOS structures. Important information about the quality and degradation of a device can be extracted from charge pumping current (ICP) measur
下载说明
- 发布公司：吉时利
- 文件大小：1247.83 Kb
- 更新时间：2010-09-27 16:30:53
- 官网：http://www.keithley.com.cn
-
EEWorld感谢您的关注!
-
- 相关下载
最新白皮书
热门厂商
提供高准确度的用于产品测试、过程监控、等解决方案
提供高准确度的用于产品测试、过程监控、等解决方案