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美光将全球扩产HBM

最新更新时间:2024-06-20
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来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank) 编译自tomshardware ,谢谢。


美光此前宣布,计划在一年后将其高带宽内存 (HBM) 市场份额从目前的“中个位数”提高到 20% 左右(即约 25%)。但是,该公司并未透露有关如何扩大 HBM 生产能力的更多细节。日经新闻 现在透露了一些潜在计划,并表示美光将扩大其在台湾的生产能力,加强其在美国的研发业务,甚至正在考虑在马来西亚生产 HBM3E  。这完全是非官方信息,因此请谨慎对待。


HBM 是一种 DRAM,但它使用的内存设备与商用内存模块不同。HBM DRAM 芯片容量更大,接口更宽,这使得它们的生产难度更大。生产后,每台设备都必须单独测试,以确保其符合质量、性能和功率目标。每个 HBM 模块将八个或十二个已知良好的 HBM 芯片堆叠在一起,使用硅通孔将它们连接起来,然后将堆栈放置在基本逻辑芯片上。为了提高 HBM3E 产量,美光需要增加 HBM DRAM 设备的产量(这可能会以生产更少的商用 DRAM 为代价),确保其拥有足够的 HBM DRAM 测试能力,以及堆叠和 TSV 能力。


美光最大的 HBM 生产基地位于台湾台中,该公司在那里生产 DRAM 芯片、测试它们,然后组装 HBM3E 堆栈。据消息来源报道,该公司目前正在增加其台湾业务的产能,但并未详细说明增加的产能。这无疑是令人欣慰的(尤其是对 Nvidia 而言),尽管 美光的 HBM3E 内存供应在 2025 年的大部分时间里都已售罄。


此外,据《日经新闻》报道,美光正在考虑在马来西亚建设 HBM 生产能力,该公司已经在马来西亚进行商品内存芯片测试和组装。美光不太可能在马来西亚生产真正的 DRAM 芯片,因为内存工厂需要数年时间才能建成和装备。但在马来西亚测试 HBM3E 芯片甚至组装 HBM3E 是有可能的。不过,美光必须再次亲自证实这一点。


最后,据报道,美光还在其位于爱达荷州博伊西的总部为先进的 HBM 芯片建立了额外的测试生产线,并在美国扩大研发设施,可能为 2025 年末至 2026 年的下一代 HBM4 内存做准备。


参考链接

https://www.tomshardware.com/pc-components/gpus/micron-to-expand-production-of-hbm3e-memory-across-the-world-to-increase-hbm-market-share-report


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