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  英特尔公司再次展示了其FBC浮体单元(floating-body cell)技术,该技术用于微处理器中先进的缓存设计。


  但现在最大的问题是:英特尔公司最后是否会采用SOI(绝缘硅)技术,虽然其介绍了世界上最小的基于SOI的FBC平面工艺设备,这些有可能运用在15纳米节点上。在相关的论文里,英特尔还介绍了新的用于SRAM缓存单元的自适应电路技术。目前这两种技术都还处在实验阶段。

 

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  NEC公司宣布研发出了一种基于片上的温度传感器技术,可以通过一种设备使热度的分布水平“可视化”,从而降低电力消耗。这意味着NEC公司在数据中心及相关环境应用方面取得了突破。

  据NEC介绍,这款传感器的尺寸只有市面上原先产品的1/10,可以集成到大规模集成电路设备里。它可以把温度的变化转换成数字信号,实时地将大规模集成电路设备的热度分布“可视化”。

 

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  一款最低功耗的芯片,其工作功耗减少了10倍,而在休眠模式下,功耗减少了3万倍。科学家们在檀香山IEEE的VLSI(超大规模集成电路)技术研讨大会上指出,这个被称作Phoenix的处理器专为医疗植入物而设计,但也可用于超长寿命的环境监测和军事侦察。

  美国密西根大学电气工程教授David Blaauw说:“我们芯片和电池加在一起,比现今使用的用于医疗植入的技术产品减少了约1000倍。”与Blaauw共同开展这个工作的有电气工程教授Dennis Sylvester以及博士生Scott Hanson和Mingoo Seok。




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  日本的东芝公司宣布已经为电路设计开发了一项新的紧凑模型,从而可以实现45纳米CMOS工艺中更高的门密度。

  东芝称通过这项技术,45纳米CMOS的门密度可以提升到65纳米的2.6倍。

  东芝称其已经开发出一项技术,通过观察电路设计所依赖的因素,能够分别预测每个晶体管的性能。

 

 

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  比利时研究中心IMEC在VLSL(超大规模集成电路)研讨大会上表示:其使用铪高K电介质和32nm CMOS节点钽金属栅极的平面CMOS,性能都有所改善。

  转换器的延误从15ps减少到10ps 。同时通过将15个处理步骤减少到9个 ,IMEC也简化了高K金属栅极的工艺流程。

  高性能(低Vt)高K/金属栅极最近已经通过在栅极绝缘层和金属栅极之间使用薄的介质盖实现。前闸极和后闸极的整合方案已被证明是成功的。



                    
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制作:汤宏琳 2008年06月23日    Mail:tanghonglin@eeworld.com.cn
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