datasheet

Flash数据不翼而飞了?

2019-06-27来源: ZLG立功科技·致远电子关键字:Flash  数据

摘要:芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?重新下载程序后又可以运行?这究竟是为什么呢?


1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写


例如,在有对Flash写入或擦除操作的代码中,如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数,这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况,可以在程序中设置多个允许操作的变量,当执行写入或擦除操作时,对这些变量进行判断,只有条件全部满足时,才执行相应的操作。


在一些不需要进行擦除或写入操作的系统中,对存储区进行写保护或擦除保护设置,能有效的防止数据被意外修改。做到了写入或擦除的可控性,基本可以避免此种情况发生。


image.png 

图1  Flash保护


2、电源失效


image.png 

图2  电源噪声严重


电源电压的异常可能会导致系统单片机系统工作异常的现象,如输出电压小于单片机系统工作所需的最小电压,输出电压不干净,噪音严重等,这些很容易引起单片机内部电路的逻辑紊乱,Flash的读写信号处于不稳定状态。可能产生满足Flash的写操作,从而给系统带来严重的损害。针对以上情况,可以在系统中加入电源监控芯片或使能MCU本身的电源监控电路,在电源异常的情况下禁止对Flash区域操作。


3、系统时钟不稳定


无论对于内部Flash还是外部Flash,系统时钟的不稳定,都将导致MCU得不到可靠的工作时序信号,从而在读写Flash时产生不可预料的后果。


4、环境干扰


环境干扰的可能原因很多,如生产过程中的高温焊接、静电、使用环境的温湿度,强磁场等,都可能影响到Flash或整个系统的稳定。环境干扰的因素很多,在此不展开讨论。


关键字:Flash  数据

编辑:baixue 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/ic465893.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:美光推出全新NVMe SSD,提供领先的存储性能
下一篇:贸泽备货Micron9200系列NVM Express™ (NVMe™) SSD

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

STM32开发笔记38: 单片机内部Flash的读写

单片机型号:STM32F070F6P6本文介绍应用C语言进行单片机内部Flash的读写技巧,将从查看文档开始,到最终完成完整的程序。单片机型号:STM32F070F6P6步骤如下:1、查看文档《STM32F030x4/x6/x8/xC and STM32F070x6/xB advanced ARM®-based 32-bit MCUs》确认其Flash的内部结构。2、查看文档确认STM32F070F6P6内部存储器地址分配。从下表中得到的主要信息是Main Flash memory的起始地址是0x08000000,长度是32KB,到0x08017FFF结束(结束值可不关心)。3、继续查看Main Flash memory的内部结构
发表于 2019-07-16
STM32开发笔记38: 单片机内部Flash的读写

STM32——SPI通信协议(W25Q128FLASH的通信)

;等待到“RXNE 标志位”为 1 时,通过读取“数据寄存器DR”可以获取接收缓冲区中的内容。假如我们使能了 TXE 或 RXNE 中断,TXE 或 RXNE 置 1 时会产生 SPI 中断信号,进入同一个中断服务函数,到 SPI 中断服务程序后,可通过检查寄存器位来了解是哪一个事件,再分别进行处理。也可以使用 DMA方式来收发“数据寄存器 DR”中的数据。W25Q128 FLASH芯片介绍W25Q128是一款SPI通信的FLASH芯片,其FLASH的大小为16M,分为 256 个块(Block),每个块大小为 64K 字节,每个块又分为 16个扇区(Sector),每个扇区 4K 个字节。通过SPI通信协议即可实现MCU
发表于 2019-07-11
STM32——SPI通信协议(W25Q128FLASH的通信)

STM32F4 内部flash驱动(寄存器操作)

stm32f4_flash.c/************************************************************************************************************* * 文件名: stm32f4_flash.c * 功能: STM32F4 内部FLASH编程驱动函数 * 作者: cp1300@139.com * 创建时间: 2013-10-20 * 最后修改时间: 2018-01-13 * 详细: 用于STM32F4内部flash读写驱动 2018-01-13
发表于 2019-07-11

三星电子:NAND Flash不会减产

据新浪科技报道,三星电子否认了媒体关于公司计划最早在本月削减NAND Flash产量的报道,并称相关报道毫无根据。 近日,随着NAND Flash供应商陆续紧缩供给,加上日本对韩国禁运光刻胶等3项关键半导体材料,市场掀起一波NAND Flash抢货潮, NAND Flash价格开始反弹。 此前,据《韩国经济日报》报道,三星电子和SK海力士正计划削减NAND闪存芯片的产量,倘若日本对韩国的禁运延长,三星也在考虑“紧急措施”,包括分阶段削减DRAM芯片产量。 另外,台湾模组厂威刚表示,为应对目前NAND Flash价格上扬,在前景有待观察的情形下,将限量供货,并优先支持老客户。威刚还指出,NAND
发表于 2019-07-11

STM32小白入门(第14天)-------Flash

一、Flash概述    闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器。用途:SD卡、固态硬盘、芯片内存存储单元存储代码。二、内部FLASH特征1、以分区形式进行规划,配置数据最好从最后扇区进行操作,防止覆盖扇区0的代码。2、写入数据之前得先擦除数据,类似与读书时的黑板原理。思考题1:擦除完之后,扇区里面所有的数据是什么?答:所有的数据都是为0xFF,所有bit位都是1. 思考题2:假如说现在已经擦除完扇区,先写入了1个字节,然后在下一个偏移地址再次写入新的字节是否在需要擦除扇区?答案:不需要的。思考题3:假如说现在已经擦除完扇区,先写了1个字
发表于 2019-07-10
STM32小白入门(第14天)-------Flash

国际半导体产业集体遭遇寒冬,国产化的机遇在哪里?

NAND闪存芯片,其创新的Xtacking TM技术,实现了3D NAND闪存芯片结构的历史性突破。紫光集团表示,基于西安紫光国芯和长江存储的成功经验,集团正探索出一条存储器设计制造的产业发展之路。 芯谋研究首席分析师顾文军指出,相对而言,DRAM更加成熟、高度集中和更加“标准”的产业特性,做DRAM的难度要远超NAND Flash。任何新进入者都面临着技术来源、团队、专业化运营和成本的几大难题。目前来看,中国大陆做DRAM的几家都没有全面解决上述问题;晋华去年的被禁,就是一个警示。 国内存储产业原为三大阵营,分别是紫光集团旗下长江存储,以及合肥长鑫与晋华集成。但是去年10月美国商务部以国家安全为由,对晋华集成实施
发表于 2019-07-09

小广播

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2019 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved