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韩媒:三星GAA工艺成大杀器,台积电已败

2019-05-16来源: 爱集微关键字:三星  GAA

据businesskorea报道,代工咨询公司IBS  5月15日宣布,三星电子在 GAA技术方面领先台积电(TSMC)一年,领先英特尔(Intel)两到三年。GAA技术是下一代非存储半导体制造技术,被视为代工行业的突破者。

三星已被评估在FinFET工艺方面领先于全球最大的代工企业台积电。FinFET工艺目前是主流的非存储半导体制造工艺。

这意味着三星在当前和下一代代工技术上都领先于竞争对手。

三星于当地时间5月14日在美国Santa Clara举行的2019年三星代工论坛上宣布,将于明年完成GAA工艺开发,并于2021年开始批量生产。

GAA工艺有望改变代工行业的格局。目前,代工行业的竞争是基于半导体的小型化。然而,缩小半导体的尺寸是有限制的。因此,GAA技术改变了半导体的结构,使其更强大。所有的芯片制造商现在都致力于巩固这项技术。

“自10纳米芯片时代开始,FinFET工艺已成为代工行业的主流技术。但FinFET工艺在半导体小型化方面有其局限性。GAA旨在克服这一限制,” 一位业内人士表示。“GAA技术可能成为三星电子的秘密武器,该公司的目标是在2030年在非存储领域占据首位。”

另一位分析师表示:“三星已经从7纳米产品时代超越了台积电,并完成了5纳米FinFET工艺的开发。由于三星在GAA技术上领先于竞争对手,它将能够在未来的竞争中领先,尽管目前在市场份额上落后于台积电。”

去年,三星电子宣布将把GAA技术应用于其3纳米工艺。在加速技术发展的同时,公司还积极宣传其新技术。三星电子正在充分利用2019年三星代工论坛,以推动其技术进步。此次论坛上,三星向高通、苹果等非晶圆厂客户分发了一套3nm GAA工艺设计工具包。

工艺设计工具包是一个数据文件,帮助无晶圆厂公司设计芯片优化。这使得无晶圆厂的公司可以很容易地设计他们的产品,并实现更短的上市时间。尤其值得一提的是,与7纳米FinFET工艺相比,三星的GAA工艺可以将芯片尺寸和功耗分别降低45%和50%。


关键字:三星  GAA

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/ic462084.html
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