骁龙830再传10nm+8GB RAM 要上天的节奏

2016-01-24 11:24:22来源: 威锋网
   下个月,搭载骁龙 820 处理器的手机就要集体出动了,比如三星 Galaxy S7 手机,HTC M10 等等。然而,在这些骁龙 820 手机闪耀登场之前,就已经有骁龙 830 的消息传出来了。我们一起来看看。


  根据最新爆料,下一代高通移动处理器骁龙 830(MSM8998)将采用改进的 Kryo 架构,最大支持 8GB 内存,使用三星 10nm 工艺制造,该处理器预计会在今年下半年发布,然后被搭载在 2017 年的智能手机上。

  高通骁龙 830 支持 8GB 内存,这意味着明年将会有 8GB 内存的手机诞生,这恐怕是要上天的节奏。今年安卓高端智能手机的内存预计普遍为 4GB,比如 Galaxy S7 手机。事实上,上一年,Galaxy Note 5 就已经搭载 4GB RAM。

  在制造工艺上,骁龙 830 采用的 10nm 工艺也是一大亮点,作为对比,骁龙 820 采用的是三星 14nm 工艺制造,具体说来是第二代的 14nm 工艺。14nm LPP 可以让芯片在变得更小的同时,进一步提升性能并降低能源消耗。

  据三星自己的说法,通过改善晶体管结构和进程优化,第二代的 14nm LPP 工艺相比第一代 14nm LPE 工艺能实现 15% 的速度提升,和降低 15% 的功耗。三星未来会逐步放弃 14nm LPE。

  今年,高通将骁龙 820 的代工交给三星负责。对于此次与三星的合作,高通表示,三星电子将成为该公司最新旗舰移动处理器的唯一制造商,这对于和规模更大的对手台积电竞争的三星而言,将是一个重大促进。




  如果今年的合作顺利,明年,高通将继续和三星合作,采用三星的 10nm 工艺制程。10nm 工艺与现在 14nm 工艺相比具有很多优势,包括空间占用减少了 40%,并且在保持相同性能的情况下,能耗也会大幅降低。

  此外,三星电子半导体事业部总裁 Kim Ki-nam 曾经表示,采用 10 nm FinFET 制程技术的芯片不但更加省电、体积也更小。

  去年7月份,三星电子旗下的制造部门 Samsung Foundry 的 Kelvin Low 曾经在网络发布了一段视频,确认三星已经将 10nm FinFET 工艺正式加入路线图。

  紧跟在三星之后,台积电将会在今年第一季度完成 10nm 制造工艺的流片,并在第四季度进入全面量产阶段,以此来对竞争对手三星进行反击。

  此外,台积电 7nm 研发一如预期,预计将在 2018 年上半年量产,而更为恐怖的 5nm 制程工艺也有可能于 2020 年正式诞生。

  虽然三星和台积电都在发力 10nm 工艺,但英特尔的脚步却放慢了些。2016 年第二季度,英特尔还将发布 14nm 处理器,这将是第三代 14nm 英特尔处理器,也就是 Kaby Lake,它会在 Skylake 的基础上做关键的性能增强,并为转换到 10nm 工艺做好充分的铺垫。英特尔的 10nm 处理器将要等到 2017 年才会到来,代号为 Cannon Lake。

关键字:骁龙830

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_50850.html
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