三星新一代FinFET制程可望掳获高通?

2016-01-20 10:14:59来源: eettaiwan
一直在先进制程晶圆代工技术领域与台积电(TSMC)激烈竞争的三星电子(Samsung Electronics),可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的订单?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技术的商业化量产逻辑制程。

香港Maybank Kim Eng分析师Warren Lau表示,高通在两年前约贡献所有台积电订单的近两成,到2017年之后会将大多数10/14奈米订单转往三星:“三星会是未来高通14奈米晶片与数据机的独家供应商;10奈米节点也会是相同的情况。”
 
三星表示,高通正采用该公司最新的14奈米LPP制程生产其Snapdragon 820处理器,首批产品将会应用于今年上半年推出的行动装置中;三星还强调该公司是FinFET技术的领导厂商,其第一代FinFET制程在2015年第一季推出,当时该公司采用自家14奈米LPE (Low-Power Early)制程生产Exynos 7八核心处理器。而三星将采用新的14奈米LPP制程生产Exynos 8八核心处理器。
 
以上三星的新讯息,恰巧与台积电在1月14日的最新预测同时发布。台积电估计该公司在16/14奈米节点市场的2016年占有率,将由2015年的50%增加为70%;同时台积电也预测市场对其16奈米产品需求增加,将贡献该公司2016年度业绩的两成左右。
 
三星与台积电都在开发较低价版本的FinFET制程,以保持市场竞争力。在2015年第四季,台积电完成开发16nm FinFET Compact (FFC)制程,是该公司在2015年中发表的16奈米FinFET制程的较低功耗、较低成本版本。台积电预计16奈米FFC制程会在本季开始量产。
 
而三星系统LSI业务与行销副总裁Charlie Bae表示,该公司将会继续提供先进14奈米FinFET制程技术的衍生版本,以维持技术领导地位。三星表示其最新14奈米LPP制程透过电晶体结构与技术的最佳化,能提供比前一代LPE制程技术高15%的速度与低15%的功耗
 
此外三星也表示,透过采用空乏(fully-depleted) FinFET电晶体,能提供强化的制造能力以克服制程微缩极限。三星预期14奈米FinFET制程能应用于手机以及物联网(IoT)晶片,还有需求高性能与省电的各种连网与车用晶片。

关键字:三星

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_50721.html
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