三星28nm FDSOI制程晶片投产

2015-12-29 08:16:11来源: eettaiwan 关键字:三星  28nm  FDSOI
    根据法国Soitec SA旗下《Advanced Substrate News》期刊报导,三星(Samsung)正为意法半导体(STMicroelectronics;ST)投产28nm全耗尽型绝缘体上覆矽(FDSOI)晶片,而且还有其他客户也正排队等候中。ST是该技术的开发公司。
该报导中还访问了三星代工业务资深行销总监Kelvin Low以及三星半导体(欧洲公司) System LSI业务总监Axel Foscher。而法国Soitec SA则提供了量产FDSOI所用的SOI晶圆


全耗尽型绝缘体上覆矽(FDSOI)
Low表示,三星已经在2015年间展开几项多专案晶圆(MPW)服务了,预计在2016年还将推出更多计划,此外,三星还打造IP核心的实体设计套件(PDK)与平台,现在也已经可用了。

除了ST与飞思卡尔(Freescale)以外,Low并未透露哪些FDSOI客户,但表示将有更多经营“所有细分市场的客户,尤其是物联网(IoT)等成本与超低功耗组合至关重要的领域。”Low并预计,FDSOI晶片将出现在2016年的消费性电子产品中,而如果想渗透至通讯基础设施、连网与汽车电子等领域的话,预计还有更长的路要走,因为这些领域存在更严苛的性能要求。

他并表示,“每个人都在等待Chipworks或TechInsights拆解采用FDSOI的终端产品。但这只是时间的问题罢了。”

同时,格罗方德(Globalfoundries)正研发基于22nm最小几何设计规则的制程,可实现低至0.4V的低功耗,较三星的制程领先约一年的时间。

关键字:三星  28nm  FDSOI

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_46990.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:联发科:一定会取得5G手机芯片专利
下一篇:两前提下 矽品同意日月光并购

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星
28nm
FDSOI

小广播

独家专题更多

TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved