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骁龙670详细参数曝光:10纳米工艺 2+6核心设计

2018-02-11 20:41:41来源: 互联网 关键字:高通  骁龙670  参数性能

 除了有望在月底推出搭载骁龙845芯片的三星S9、小米MIX 2S等新机,高通中端6系产品线的骁龙670也有进一步的资料曝光。

  德媒WinFuture主编、知名爆料人Roland Quandt最新撰文披露了这款SoC的一些规格资料。

  骁龙670基于10nm工艺制造,CPU部分设计为2颗Kryo 300系列Gold大核以及6颗Kryo 300系列Silver小核(基于Cortex A55),最高主频2.6GHz,小核最高主频1.7GHz。

  这推翻了此前4+4的Big.Little设计,比较意外。同时,每核心内件2KB L1缓存,每个丛集享有128KB L2缓存。

  GPU是Adreno 615,可以实现430MHz、650MHz和700MHz+调频。

  其他方面,闪存支持UFS 2.1和eMMC 5.1,基带集成X20系列,下行速度追上骁龙835的水平,达到1Gbps。

  此前我们已经见识过骁龙670 CPU性能,GeekBench 4跑分单核心超1860、多核心超5250,相比于骁龙660单核提升约10%,但多核心反而下降了10%。

  最后,爆料人Roland Quandt称,早先中国所谓数码爱好者的泄露一派胡言,他拿到的信息基于高通的官方代码文档,可信度是极高的。


关键字:高通  骁龙670  参数性能

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2018021181213.html
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