南亚科:DRAM上半年还会涨

2018-01-17编辑:北极风 关键字:DRAM

集微网消息,南亚科总经理李培瑛16日表示,今年上半年DRAM价格持续看涨,但涨幅会收敛些,下半年则仍待观察三星、 SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。 目前来看,韩国二大厂都表明将依市场需求增产,分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。

李培瑛表示,服务器和标准型DRAM今年市场需求持续强劲,南亚科内部预估,今年DRAM位需求增幅约20%至25%,搭配云端数据中心对服务器DRAM需求同步畅旺,以及高端手机搭载DRAM容量攀升到4GB~6GB, 以及冬季奥运来临,刺激电视与机顶盒等需求,带动利基型DRAM需求增加,「今年整体DRAM市况没有悲观的理由」。

集微网消息,虽然发改委去年年底曾经约谈三星,就DRAM过去六个季度价格大涨表示关注,不过今年第一季度DRAM依旧上涨了5%,集微网从产业链获得的消息,DRAM恐今年一年都难以下跌,不过涨幅应该没有去年那么疯狂。

关键字:DRAM

来源: 集微网 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2018011779702.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:旷达科技购买NXP标准业务方案居首 京东方获63亿元债务豁免
下一篇:金立之外,另一大陆手机品牌恐陷财务危机

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

LPDDR5还没出,三星就急着研究第二代LPDDR4X了?

它们。 据悉这款产品专门是针对高端智能手机以及对功耗民敏感的额移动设备开发的,可以保持原本LPDDR高达4266MHz速度下,功耗再降低10%,通过四颗新的16Gb LPDDR4X DRAM芯片,可以组成一个8GB LPDDR4X封装,带宽可达34.1GB/s,相比上一代封装厚度减少20%。  三星内存销售、市场部高级副总裁Sewon Chun表示,10nm级别的移动DRAM将会成为新一代旗舰手机的最佳选择方案,最快可以在今年年底或者2019年初看到有相关设备采用第二代LPDDR4X内存,同时还将会继续发展高容量、高性能、低功耗的内存产品,满足市场所需,加强三星内存业务竞争力。
发表于 2018-07-29
LPDDR5还没出,三星就急着研究第二代LPDDR4X了?

s3c2440中断程序(烧录到NORFlash,运行在SDRAM中)

现在正在看韦东山的《嵌入式Linux应用开发完全手册》,看到了中断部分。书上是将程序烧录到NANDFlash中,由于当mini2440板子从NANDFlash启动的时候,会自动将其中的前4KB程序拷贝到CPU内部的SRAM(4KB大小)中,并且将该SRAM的起始地址映射为0x0。所以当中断发生的时候,PC指针指向0x0+offset(如:IRQ就是0x18),可以找到中断服务程序的入口。但是有4KB的限制,加上U-BOOT一般都烧录到NORFlash中,再将程序搬移到SDRAM中再运行的,恰好手底下有JLINK设备,所以决定写一个烧录到NORFlash,运行在SDRAM中的中断测试程序。先说一下整体思路:将系统启动时寻找的八个
发表于 2018-07-23

S3C2440 nand sdram启动时代码的运行转移过程

在reset期间,S3C2440 Nand Flash控制器通过和nand flash相连的管脚pin的状态获得信息(NCON,GPG13,GPG14,GPG15).启动电源或者系统复位后,NAND Flash控制器 会自动的下载4Kboot loader代码,下载了的boot loader 代码之后就在setppingstone 开始执行了。S3C2440的boot code能够在外部的nand flash内存中执行。为了支持nand flash 的boot 引导,S3C2440有一个内部的SDRAM缓存称为“Steppingstone”,当booting的时候,Nand Flash的首4kbyte会被导入到
发表于 2018-07-22

S3C2440 跳到 SDRAM 中执行程序

从Nandflash启动CPU时,CPU会通过内部的硬件将Nandflash开始的4KB数据复制到为Steppingstone的4Kb的内部RAM中(起始地址为0)然后跳到0地址开始执行.我们这个例子是先使用汇编语言设置好存储控制器,使我们外接的SDRAM可用,然后把程序本身从Steppingstone复制到SDRAM处,最后跳到SDRAM中执行.程序的什么关看门狗,设置存储控制器,复制代码到SDRAM中都比较简单,程序跳入到C程序之前要设置栈供C程序使用!!!ldr sp, =0x34000000                 @ 设置堆栈栈设置
发表于 2018-07-22
S3C2440 跳到 SDRAM 中执行程序

s3c2440中断程序(烧录到NORFlash,运行在SDRAM中)

现在正在看韦东山的《嵌入式Linux应用开发完全手册》,看到了中断部分。书上是将程序烧录到NANDFlash中,由于当mini2440板子从NANDFlash启动的时候,会自动将其中的前4KB程序拷贝到CPU内部的SRAM(4KB大小)中,并且将该SRAM的起始地址映射为0x0。所以当中断发生的时候,PC指针指向0x0+offset(如:IRQ就是0x18),可以找到中断服务程序的入口。但是有4KB的限制,加上U-BOOT一般都烧录到NORFlash中,再将程序搬移到SDRAM中再运行的,恰好手底下有JLINK设备,所以决定写一个烧录到NORFlash,运行在SDRAM中的中断测试程序。先说一下整体思路:将系统启动时寻找的八个
发表于 2018-07-22

S3C2440 SDRAM寄存器初始化设置

板子是s3c2440,使用两片容量为32MB、位宽16bit的EM63A165TS-6G芯片拼成容量为64M、32bit的SDRAM存储器。根据2410datasheet,要使用SDRAM需配置13个寄存器,以下逐个来看:1、 BWSCON:Bus width & wait status control register总线位宽和等待状态控制寄存器。此寄存器用于配置BANK0 – BANK7的位宽和状态控制,每个BANK用4位来配置,分别是:● ST(启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚。对于SDRAM,此位置0;对于SRAM,此位置1)● WS(是否使用存储器的WAIT信号,通常置0为不使用)● DW(两位,设置位宽
发表于 2018-07-22

小广播

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2018 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved