主频高达3.0GHz 三星S8或将首发骁龙835

2016-11-24 19:32:50来源: IT168.com 关键字:三星  骁龙835

上周,高通三星共同展示了下一代顶级旗舰处理器——骁龙835,同时表示将会率先采用三星10nm FinFET工艺制造,目前已投产。不过并没有透露有关该芯片的具体规格等更多信息。现在有网友指出:骁龙835将会采用自主架构、八核设计,另外也有网友爆料称骁龙835的主频将会高达3.0GHz。

  根据微博网友@草包科技 微博中透露的消息,骁龙835的编号为MSM8998(骁龙820/821 MSM8996/MSM8996 Pro),将会采用升级版64位自主架构Kyro 200,采用四大+四小的八核设计,Kyro架构也是从骁龙820开始启用的自主架构。有关于芯片的主频部分,微博网友@i冰宇宙 表示骁龙835的主频将会高达令人震惊的3.0GHz。

  其他方面,骁龙835集成了Adreno 540 GPU基带则是LTE X16,最高支持LTE Cat.16,理论下载速度高达1Gbps,上传则能达到150Mbps。另外,@草包科技 微博中的表格显示,骁龙835将在2017年第一季度量产,首发的是三星新旗舰Galaxy S8,明年二月底的MWC 2017大会前发布,而国产机型将在明年年中跟进。


关键字:三星  骁龙835

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016112458579.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:中兴天机7顶配版推出:触感屏/更大容量
下一篇:最后一页

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星
骁龙835

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved