主频高达3.0GHz 三星S8或将首发骁龙835

2016-11-24 19:32:50来源: IT168.com 关键字:三星  骁龙835

上周,高通三星共同展示了下一代顶级旗舰处理器——骁龙835,同时表示将会率先采用三星10nm FinFET工艺制造,目前已投产。不过并没有透露有关该芯片的具体规格等更多信息。现在有网友指出:骁龙835将会采用自主架构、八核设计,另外也有网友爆料称骁龙835的主频将会高达3.0GHz。

  根据微博网友@草包科技 微博中透露的消息,骁龙835的编号为MSM8998(骁龙820/821 MSM8996/MSM8996 Pro),将会采用升级版64位自主架构Kyro 200,采用四大+四小的八核设计,Kyro架构也是从骁龙820开始启用的自主架构。有关于芯片的主频部分,微博网友@i冰宇宙 表示骁龙835的主频将会高达令人震惊的3.0GHz。

  其他方面,骁龙835集成了Adreno 540 GPU基带则是LTE X16,最高支持LTE Cat.16,理论下载速度高达1Gbps,上传则能达到150Mbps。另外,@草包科技 微博中的表格显示,骁龙835将在2017年第一季度量产,首发的是三星新旗舰Galaxy S8,明年二月底的MWC 2017大会前发布,而国产机型将在明年年中跟进。


关键字:三星  骁龙835

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016112458579.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:中兴天机7顶配版推出:触感屏/更大容量
下一篇:最后一页

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星
骁龙835

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved