高通正式公布骁龙835 基于三星10nm工艺

2016-11-21 09:52:39来源: 天极网 关键字:高通

上周有消息传出称高通新一代旗舰处理器将更名,按照高通的命名惯例,高通明年的新款旗舰处理器应该就是骁龙830,不过传闻称高通可能将之命名为骁龙835或者骁龙850。而就在外界还在纳闷或者是猜测该传闻的真实性的时候,高通突然宣布了下一代旗舰处理器的确将命名为骁龙835,而且将继续与三星合作,采用后者最新的10nm FinFET工艺制程。


高通当前最新的骁龙820和骁龙821旗舰处理器均基于三星的14nm芯片工艺,性能表现颇为可观,骁龙835采用三星的10nm工艺并不让人意外。三星在今年10月份宣布他们以全球首家的身份开始量产10nm FinFET工艺制程芯片,根据三星公布的数据,相比14nm工艺,10nm LPE性能提升27% ,功耗降低40%,提升30%的面积效率。


高通产品管理高级副总裁Keith Kressin表示:“我们很高兴继续与三星公司合作,共同开发移动行业的领先产品。全新的10nm工艺将让我们顶级的骁龙835处理器在能效以及性能方面有大幅的提升,同时也让我们能够为之加入更多的功能,以提升未来移动设备的用户体验。”


骁龙835当前已经开始生产,首批搭载该处理器的设备预计将会在2017年上半年上市。


关键字:高通

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016112158518.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:消息人士:劣质第三方电源适配器致iPhone 6s自动关机
下一篇:最后一页

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
高通

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved