大陆发展存储器大计三箭齐发 明年推首颗自制3D NAND芯片

2016-10-19 20:02:44来源: Digitimes
    大陆发展3D NAND、DRAM、NOR Flash存储器大计正如火如荼地展开,初步分工将由长江存储负责3D NAND及DRAM生产,武汉新芯则专职NOR Flash和逻辑代工。2016年底长江存储将兴建首座12吋厂,最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片,尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代,然大陆终于将全面进军NAND Flash领域。
 
尽管大陆并未赶上NAND Flash存储器世代,但在存储器技术改朝换代之际,大陆直接切入新世代3D NAND技术,有机会另辟一片天。大陆有鉴于过去扶植晶圆代工产业经验,这次为让存储器产业落地生根,采取集中资源生产策略,不仅避免资源分散,并杜绝恶性竞争导致产能供过于求情况。
 
大陆过去有众多地方政府和企业集团争取扮演存储器生产中心角色,包括合肥市政府、中芯国际及京东方等,后来由武汉新芯出线,然随着紫光集团加入战局,大陆原本以武汉新芯为主轴的存储器发展大计,出现架构性的改变。2016年紫光集团与武汉新芯合资成立长江存储,武汉新芯成为长江存储旗下100%持股的子公司,并对于未来存储器生产达成初步分工。
 
长江存储将主要负责3D NAND和DRAM生产制造,武汉新芯先前宣布动工的12吋新厂,其实是隶属于长江存储旗下,该座厂房分为三期,首期建设将于2016年底启动兴建,第二期预计2018年完成兴建,第三期在2019年完成,总规划产能为单月30万片,总投资额240亿美元。
 
长江存储3D NAND技术主要来自于飞索(Spansion),飞索在2014年底卖给Cypress之后仍保持独立营运,由于飞索过去与三星签下Charge Trap技术授权合约,每年为飞索带来丰厚的授权金,而Charge Trap正是3D NAND技术关键,大陆透过与飞索合作取得跨入3D NAND技术的门票。
 
长江存储规划2017年底量产32层堆叠3D NAND芯片,这将是大陆首颗自制的3D NAND芯片,尽管相较于三星、东芝目前已量产64层堆叠技术,预计2017年底可进入72层或96层技术,大陆3D NAND技术仍是约落后2个世代,但大陆在存储器自制总算开始冲刺并酝酿超车。
 
至于武汉新芯未来将专职NOR Flash和逻辑代工业务,旗下12吋厂月产能约3万片,其中有超过2万片是生产NOR Flash芯片,主要客户为飞索和北京创新兆易(GigaDevice)。目前武汉新芯在逻辑代工产能仍不大,主要客户为已并入北京君正集成的CIS大厂豪威(OmniVision)。现阶段豪威CIS除了由台积电生产,华力微和武汉新芯分别负责前段和后段制程。
 
事实上,长江存储规划终极月产能30万片,不仅生产3D NAND芯片,DRAM芯片亦是其中一环,业界认为随着美光解决购并华亚科一案,以及完成让南亚科入股事宜后,下一阶段美光将与紫光建立策略联盟,双方将针对DRAM技术及产能进行合作,因此,长江存储30万片月产能将包括DRAM产品。

关键字:3D  NAND

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016101957807.html
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