三星64层 3D NAND Q4开卖,还要推100层

2016-08-13 15:50:00来源: 精实新闻
    近来东芝(Toshiba)、美光(Micron)布局 3D 架构 NAND 型快闪记忆体(Flash Memory)的动作频频,让身为 NAND Flash 龙头厂、且是全球第一家量产 3D NAND 的南韩三星电子倍感威胁,不过三星也不是省油的灯,宣布第 4 代 3D NAND 产品将在 Q4 开卖。




南韩媒体朝鲜日报日文版 12 日报导,三星 11 日宣布,第 4 代 V-NAND Flash(3D NAND)产品将在 2016 年 Q4(10-12 月)开卖,该款产品将采 64 层堆叠。三星指出,藉由采用 64 层堆叠技术,每片晶圆的储存容量可较现行技术提高 30%,能有效改善成本竞争力。

三星为全球第一家量产 3D NAND 的厂商,于 2013 年研发出堆叠 24 层的 3D NAND 之后,就逐步将技术升级至 32 层、48 层,此次则进一步提升至 64 层。

据报导,统筹三星半导体部门的金奇南社长表示,“预估在不久的将来将能够开卖采用 100 层以上积层结构的 1TB 等级 NAND Flash 产品”,该款产品的储存容量将达现行主流产品的 4 倍。

关键字:三星  3D  NAND  Q4

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016081356443.html
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