3D NAND Flash朝垂直堆叠64层以上迈进

2016-08-13 15:38:34来源: 集微网 关键字:3D  NAND  Flash
    集微网消息,据海外媒体报道,2016年下半除东芝(Toshiba)就64层3D NAND Flash展开送样出货外,三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者亦将陆续量产,将促使3D NAND Flash垂直堆叠最高层数自64层朝2017年的80层迈进。DIGITIMES Research观察,由于干蚀刻使用在64层以上更高堆叠层数的3D NAND Flash,其蚀刻速度与正确性可望优于湿蚀刻,将使三星于64层以上3D NAND Flash转向干蚀刻发展的可能性提升。
 
垂直通道(Vertical Channel)构造3D NAND Flash系指字元线(Word Line;WL)与位元线(Bit Line;BL)相互垂直,堆叠层数往BL方向增加。相较于WL与BL皆处同一平面、往上层层堆叠的简单堆叠(Simple Stack)构造,垂直通道具备成本优势,成为存储器业者发展3D NAND Flash所采主流构造。
 
随3D NAND Flash持续朝64层以上更高垂直堆叠层数迈进,制程中需贯通至底部的蚀刻厚度将较以往增加,且蚀刻精密度亦将提升。
 
比较湿蚀刻与干蚀刻主要特性,湿蚀刻具备纵向与横向同时蚀刻的效果,干蚀刻则朝单一方向蚀刻,而湿蚀刻可运用只对被蚀刻物产生化学反应的材料,其蚀刻选择性(Selectivity)优于干蚀刻。
 
DIGITIMES Research观察,干蚀刻相对湿蚀刻适用于线宽较小的制程,如应用于64层以上3D NAND Flash,其朝单一方向贯通至底部的特性,可望达成优于湿蚀刻的蚀刻速度及正确性,且干蚀刻借由改良反应方式,提升其于蚀刻选择性的表现,可望获三星扩大采用于64层以上3D NAND Flash制程。

关键字:3D  NAND  Flash

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016081356432.html
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