ARM 加速推动 7 纳米芯片进程,终端预计于 2018 年问世

2016-07-15 08:24:01来源: 集微网
    集微网消息,据海外媒体报道,ARM 于 12 日宣布,将参与 IMEC (欧洲微电子研究中心)代号为 INSITE 的计划,借此以强化双方的合作。据了解,INSITE 计划乃是致力于优化集成电路设计、系统层面架构的功耗表现,并且产品提高性能与降低成本。
 
ARM 表示,本次合作的重点是 7 纳米制程及其以上的半导体芯片为主。未来,两者进一步合作后,预计将可透过学习新技术与设计目标,加速半导体芯片的性能提升,使其在 INSITE 计划下的战略性产品能够尽早进入市场。
 
2009 年 IMEC 即启动的 INSITE 计划,目前有 10 个企业或单位加入,其目的在于要帮助企业或单位预测新技术,以设计出符合下一代系统的设计和应用。而且,借由 INSITE 计划中假设的学习过程,可以适当调整设计目标和权衡预期系统的性能状态,确认相关产品未来的发展路线,借由早期技术回馈,能在产品设计的早期就决定变化。如此,不但加快企业或单位在新技术项目上的学习周期,更可降低风险的科技应用。
 
而在 INSITE 计划下,根据最近一次的成果展现是预计 2016 年 10 到 12 月间,台积电将会量产 10 纳米 FinFET 制程的联发科 Helio X30 ,以及华为麒麟 970 芯片。而华为的麒麟 970 芯片将有望于 11 月上市的 Mate 9 智能型手机上被采用。至于,安装 7 纳米制程芯片的智能手机,则预计将会在 2018 年左右登场。

关键字:ARM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016071555747.html
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