SONY GPS芯片采用FD-SOI技术功耗降低九成

2016-07-14 11:59:37来源: 集微网
     集微网消息,对半导体制造商和设备供应商来说,智能手机和PC市场饱和,无法带动业绩成长,以往生产功能更强芯片的传统做法,预料也难扭转颓势,如今业界采用新技术,像是全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)和3D NAND。

华尔街日报报导,半导体业面临的业绩压力已经引发整并风潮,最新数据也指出,今年全球半导体设备厂商营收恐怕仅成长1%至369.4亿美元,而芯片营收可能下滑2.4%,利空就是智能手机的成长趋缓,PC市场也正在萎缩。半导体业都在问:下一个成长机会在哪里?

如今有许多业者陆续采用新材料与新生产技术来因应市场变化,这些业者看好联网设备需求,但物联网的芯片需求不一样,要求芯片成本控制在1美元以下,并且可运行数年,不需换电池。

GlobalFoundries与三星电子已经采用称为FD-SOI的技术,这项技术在耗电与成本上具有优势,仰赖法国厂商Soitec特别量身订制的半导体晶圆。

Soitec CEO布德尔说,日本科技大厂Sony近来设计的智能手机GPS芯片便使用FD-SOI技术,结果芯片耗电量只有原本的十分之一,让用户可以更频繁使用卫星定位技术,不必担心会吃掉手机太多电力。

有些公司也开始在不生产更小电晶体的情况下,进一步挖掘芯片的潜能,NAND快闪存储器厂商已经以3D NAND的方式,透过堆叠多层电路来提升效能。这项技术需要采购许多生产设备,因此令许多厂商受惠,应用材料便是其中之一。

有关FD-SOI

全耗尽型绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insular,FD-SOI)是FinFET与Tri-Gate的互补技术,被视为是可望在物联网与汽车市场取代FinFET的理想替代方案,其特色为功耗低、性能和成本效益较佳。目前支持FD-SOI的晶圆代工厂包括格罗方德以及三星电子。

关键字:SONY  GPS  FD-SOI

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016071455721.html
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