Cell on Peri构造有利IDM提升3D NAND Flash竞争力

2016-07-04 12:08:59来源: DIGITIMES 关键字:Cell  on  Peri  IDM  3D  NAND  Flash
    Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发,采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式,以缩减采3D NAND Flash解决方案的晶片面积。DIGITIMES Research观察,三星电子(Samsung Electronics)已提出类似此一构造的COP(Cell Over Peri)方案,将有利整合元件厂(Integrated Device Manufacturer;IDM)三星、东芝(Toshiba)提升其3D NAND Flash竞争力。

然而,Cell on Peri构造将原先在不同制程制作的3D NAND Flash与逻辑电路结合于单一制程,虽有其优点,但尚存诸多课题,包括相关产线与设备需延伸、扩大,将导致业者的资本支出增加,且3D NAND Flash经高温制程后,恐因高温而破坏下方CMOS电路,将影响良率。

由于三星同时生产3D NAND Flash与逻辑电路,如Cell on Peri构造能克服良率与成本等问题,可望成为其争取苹果(Apple)应用处理器(Application Processor;AP)订单的优势,而东芝半导体事业涵盖3D NAND Flash与系统LSI,美光与英特尔阵营亦可结合双方3D NAND Flash与CPU,运用Cell on Peri构造,有助其提升3D NAND Flash竞争力。

另外,3D NAND Flash若引进Cell on Peri构造,由于在形成周边区域后,需经过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)制程使之平坦化,才能于其上形成3D NAND Flash晶胞阵列,将使得CMP制程的重要性提高。

美光与英特尔阵营于3D NAND Flash所开发的Cell on Peri构造

资料来源:美光、英特尔、南韩NH投资证券,DIGITIMES整理,2016/6

关键字:Cell  on  Peri  IDM  3D  NAND  Flash

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016070455408.html
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