存储器西安事变,供货吃紧NAND单日最高涨一成

2016-06-21 13:05:39来源: 工商时报
    
主要存储器芯片或产品之价格变化
大陆西安变电厂爆炸造成当地三星晶圆厂、美光及力成封测厂出现电力闪断及电功下降,预期将对存储器市场供给造成影响,存储器业界昨(20)日均以“西安事变”来形容此次跳电危机,而包括DRAM及NAND Flash报价也出现难得一见的全面上涨行情。

三星、美光、力成等业者昨日指出,对后续供货情况不会有太大影响。但存储器业界人士表示,半导体业界在过去10年当中,有关存储器晶圆厂或封测厂发生电力闪断的事件后,都出现供货吃紧问题,因为半导体设备机台跟电脑一样,电力闪断就好像插头拔起几秒再插回一样,设备就会当机或参数跑掉,至少也要1~2周时间才有办法回复原本正常运作。

所以,通路商预期后续DRAM及NAND Flash供货可能吃紧,昨日均开始提高库存水位,根据台湾、香港、深圳三地的昨日现货报价,NAND随身碟及存储卡价格涨幅最大,32GB/64GB USB 3.0随身碟公板价格涨幅达5~10%,16GB/32GB MicroSD卡价格涨幅达3~5%,32GB/64GB MLC规格NAND Flash芯片涨幅达1~3%。在DRAM部分,深圳地区DRAM模组平均涨幅达3~5%左右,DDR3颗粒价格则出现1%左右涨幅。

集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange则表示,第3季NAND Flash供货吃紧的态势愈发明显,TLC规格晶圆与存储卡价格自4月初以来已连续3个月份逐步走扬,由于时间上已进入智慧型手机备货旺季,三星西安厂短暂跳电导致供不应求预期心理,将导致第3季NAND Flash市况火热。

DRAMeXchange研究协理杨文得表示,NAND Flash原厂持续降低对于通路的供货比重,来满足eMMC/eMCP、固态硬碟(SSD)的需求,并同时积极转进3D NAND,让2D NAND的产出持续下滑,因此现货与通路市场的货源更显紧缩。DRAMeXchange预估2016年第3季的TLC晶圆及存储卡现货等价格将持续调涨,第4季的NAND Flash的市况将视苹果新一代iPhone与其他品牌智慧型手机新品上市后的销售力道而定。

集邦指出,西安18日变电站爆炸,使三星西安厂短暂停电数秒,在工程师抢修设备,并快速进行线上晶圆损害清查后,目前部分产能已恢复生产。杨文得指出,依照事发当日部分产能已能恢复生产的进度来看,此次停电对三星NAND Flash的产出影响有限,预估当日其线上受损晶圆(Wafer-In-Process)片数约略在1万片以内,此缺口透过增加投片及缩短部分制程可以弥补,但此事件恐将加深第3季NAND Flash供不应求的预期性心理。

关键字:存储器

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016062155013.html
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