东芝将发展64层3D NAND Flash与晶圆代工

2016-06-19 19:30:18来源: DIGITIMES 关键字:东芝  3D  NAND  Flash  晶圆
    东芝(Toshiba)2015日本会计年度(2015年4月至2016年3月,以下简称年度)半导体事业营收不仅较2014年度衰退6.9%,为1.11兆日圆(约100亿美元),且营业利益由盈转亏,营损率为6.4%。DIGITIMES Research观察,东芝为求2016年度转亏为盈,在2016年3月开始量产48层堆叠3D NAND Flash,更计划供应价格低于15奈米平面型的64层堆叠产品,同时成立系统LSI新公司Japan Semiconductor Corp.(JSC),寻求承接以类比IC为主的晶圆代工机会,但短期仍以制造东芝系统LSI产品为主。

2015年度东芝以NAND Flash为主的记忆体营收较2014年度衰退1.8%,为8,456亿日圆,已连续2年呈现下滑,对照2013~2015年全球NAND Flash龙头厂三星电子(Samsung Electronics)营收持续成长,东芝在三星进驻大陆西安设厂、且三星于3D NAND Flash发展脚步较快的情况下,面临相当大的竞争压力。

展望2016年度,东芝预测其来自记忆体营收将年减11%,仅7,466亿日圆,记忆体营益率亦将自13%下滑至3.3%。为改善营运,东芝将加速发展垂直堆叠架构BiCS(Bit Cost Scalable) NAND Flash,不仅已量产的48层堆叠3D NAND Flash成本将接近15奈米平面型产品,更计划以低于15奈米平面型的价格,量产64层堆叠3D NAND Flash。

在记忆体以外的半导体事业方面,2015年度东芝系统LSI与离散元件因在财报不实范围内,需认列损失,此两部门合计营损率达到49.3%,成东芝整体半导体事业亏损主因,东芝已订2016年度此两部门转为营益率1.6%的目标,将透过提升JSC产能利用率,及主攻具市场成长性的离散元件产品等方式,达成2016年度其整体半导体事业盈余目标。

东芝2009~2016年度半导体事业营收变化及预测

注:东芝以西元年第2季至隔年第1季为其会计年度。 

关键字:东芝  3D  NAND  Flash  晶圆

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016061954958.html
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