澜起低功耗DDR内存缓冲控制器芯片设计技术达国际领先水平

2016-06-15 08:10:05来源: 集微网 关键字:DDR
    中国电子所属澜起科技低功耗DDR系列内存缓冲控制器芯片设计技术” 整体达到国际领先水平
集微网消息,6月3日,中国电子学会在北京组织召开了由澜起科技(上海)有限公司(以下简称澜起科技)完成的“低功耗DDR系列内存缓冲控制器芯片设计技术”科技成果 鉴定会。由中国科学院院士、西安电子科技大学副校长郝跃,中国科学院院士、北京大学信息科学技术学院院长黄如,以及来自工信部电子司、清华大学、中国电子 技术标准化研究院、联想集团等单位的专家组成的鉴定委员会一致认为:该技术成果突破了动态电源管理与动态时钟分配管理、低功耗高速收发器、低延迟输出驱动 器与高灵敏度输入接收器等一系列关键技术,整体技术达到国际领先水平,极大地提升了我国在DDR内存缓冲控制器领域的芯片设计和产业化水平。
 
澜起科技是全球领先的模拟与混合信号芯片供应商,专注于为云计算、物联网等市场提供以芯片为基础的解决方案。2014年,中国电子并购澜起科技,2015年,澜起继续保持市场高占有率,营业收入突破10亿元人民币。澜起科技董事长兼首席执行官杨崇和博士于1994年应邀回国,是最早自硅谷回国发展的集成电路设计专家,被业界称为“IC设计海归第一人”。2004年他与同仁共同创立澜起科技,经过十余年的耕耘,取得了一系列骄人的成绩。2009年底,杨崇和博士当选IEEE院士,并于2010年3月入选中组部国家“千人计划”创新人才计划,成为国家“千人计划”特聘专家。杨崇和博士2012年被上海市授予“白玉兰荣誉奖(金奖)”,2016年当选“十佳中国电子学会优秀科技工作者”。
 
本次通过科技成果鉴定的“DDR系列内存缓冲控制器芯片”是澜起科技利用专有的高速、低功耗等设计技术,为新一代服务器平台提供的高性能内存接口解决方案。产品已通过英特尔等业界知名CPU厂商的严格认证,并被三星、海力士、美光和金士顿等内存条厂商广泛使用,取得了显著的经济效益和社会效益。
 
澜起科技凭借其在高性能、低功耗CPU内存接口解决方案方面的技术优势,广泛开展国际、国内合作。公司于2016年初与清华大学和英特尔在北京正式签署协议,宣布联手研发融合可重构计算和英特尔x86架构技术的新型通用CPU,计划最早将于2017年为中国市场提供该处理器芯片产品。

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编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016061554821.html
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