华人胡正明获美国最高科技奖:FinFET发明人

2016-05-21 07:26:12来源: 快科技
    据中新网、网易等报道,当地时间2016年5月19日,美国总统奥巴马在白宫为2015年度美国最高科技奖项获得者颁奖,包括9名国家科学奖获得者和8名国家技术和创新奖获得者。其中两张华裔面孔格外引人注意,包括80岁高龄的何南施女士(Nancy ho),出生于南京,1957年毕业于台湾大学。
 
她1993年制造出一种酵母,除了让木糖发酵,也可以吧果糖变成乙醇,因此能够利用稻草之类的非食用材料大量制造乙醇,帮助减少对进口石油的依赖。
另一位是胡正明教授,他1947年出生于北京豆芽菜胡同,在台湾长大,后来考入加州大学伯克利分校,曾任台积电首席技术官。
胡正明教授
胡正明教授是鳍式场效晶体管(FinFET)的发明者,2010年后,Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头,胡教授的FinFET和FD-SOI工艺发明得以使14nm/16nm摩尔定律在今天延续传奇。
 
背景资料:
美国国家技术和创新奖1980年立法设立,由美国联邦政府商务部下属专利商标局管理。一个独立委员会负责向美国总统提名获奖人,表彰那些为提供美国竞争能力、国民生活品质和劳动力技术素质作出持久贡献的人士。
 
美国国家科学奖是美国科学界最高荣誉,1959年设立,由美国国家科学基金会管理,由另一个独立委员会向总统提名,表彰在化学、工程、计算、数学、生物、行为和社会以及其他自然科学领域作出杰出贡献的人士。
 

关键字:胡正明  FinFET

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016052154116.html
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