武汉新芯估2018年量产48层NAND

2016-05-10 12:30:50来源: 精实新闻
    红色供应链来势汹汹,外界原本认为,陆厂要到四五年后才能在记忆体抢下一席之地,不过有分析师预测,陆厂研发脚步迅速,可能2018年就能量产3D NAND。

巴伦(Barronˋs)6日报导,美系外资晶片设备分析师Atif Malik称,中国透过Rambus和Spansion取得DRAM和NAND记忆体的技术授权。2月份,Spansion和武汉新芯(XMC)签订3D NAND研发和交叉授权协定。由武汉新芯出资、Spansion提供电荷储存式(Charge trap)和浮闸(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示,他们相信2017年底就能取得48层3D NAND的验证,2018年进行量产。

目前只有三星有能力量产48层3D NAND,另一记忆体大厂SK海力士预料要到今年下半才能生产。

与此同时,Malik也指出,中国投入半导体市场,对设备商来说短多长空。中国砸钱大买设备建厂,应用材料(Applied Materials)、Lam Research一开始有望受惠。但是长期而言,设备业者将流失非中国业者订单。这是“零和游戏”,中国订单大增,表示其他记忆体和晶圆代工大厂需要减少资本开支。(注:零和游戏/zero sum game,一方获利意味另一方将蒙受损失、两者相加的总和永远为零)

他强调,中国加入不会扩大全球半导体设备支出,因为中国向半导体的三大资本开支大厂,采购大量晶片。这三大业者分别是台积电(2330)、英特尔、三星电子。中国计画2020年前,国内消费的40%晶片改为自制。

巴伦(Barronˋs)网站4月12日报导,Bernstein分析师Mark Newman表示,记忆体业者自相残杀,等到中国厂商进入市场,情况将急转直下。报告称,中国可能是足以颠覆市场的竞争者,他们财力雄厚,等到供给上线后,市况将惨不忍睹。武汉新芯(XMC)的3D NAND技术大约落后领先厂商4~5年,他们打算狂烧资本加紧追赶,等到量产之后,市场供给过剩将更加恶化。

巴伦(Barronˋs)网站、韩媒etnews 4月报导,Brean Capital的Mike Burton表示,目前只有三星有能力制造3D NAND,其他业者要到今年下半才开始生产。3D NAND采用较旧制程(35~50奈米),业者能以较低成本、提高产能。英特尔主管David Lundell表示,预计大连厂会在今年底量产3D NAND。

关键字:武汉新芯

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016051053850.html
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