三星存储器资本支出 传砍3成

2016-04-20 12:19:43来源: 工商时报
    
近4年三大半导体资本支出比较
根据外电报导,全球最大记忆体厂韩国三星电子已不打算牺牲利润抢市占率,法人圈指出,因为记忆体价格自去年以来跌幅太多,三星可能会大砍今年资本支出40亿美元,约较去年减少31%,这代表DRAM及NAND Flash市场供给过剩情况将获得改善,价格将逐渐回稳。

法人指出,若三星真的在月底法说会中,说明今年投入记忆体的资本支出将明显减少的话,的确有助于DRAM及NAND Flash价格回稳,其中,DRAM市场的反应会比较明显,价格有机会出现较大的反弹幅度,对于国内DRAM厂南亚科(2408)、华邦电(2344)等将是一大利多。

外电报导,外资分析师推估今年全球记忆体资本支出将较去年减少4%,约达502亿美元,其中减幅最大的是龙头大厂三星电子,今年投入记忆体事业的资本支出将较去年减少40亿美元规模,年减幅度高达31%。

其中,三星的DRAM产能有70%转换至20奈米制程后,DRAM的资本支出将较去年减少26亿美元,而三星的西安NAND Flash厂开始量产后,NAND Flash资本支出也会下修10亿美元左右。

至于韩国另一记忆体大厂SK海力士应该也会跟进。报告中预估,SK海力士会较着重于将DRAM制程微缩至20奈米,但不太可能大幅投资3D NAND,因为3D NAND的平均价格并不高,却有很高的技术门槛。

业界会有此推估,主要是因为DRAM价格去年大幅下滑,已经压缩到记忆体厂的获利能力。由于三星未来发展策略更看重获利能力,因此,减少资本支出及扩产是很有可能的事,在此一情况下,全球DRAM及NAND Flash的供给量都不会出现失控情况,而且随着智慧型手机搭载的DRAM及NAND Flash容量提高,将可有效让价格出现回稳情况。

集邦科技旗下拓墣产业研究所先前就预估,三星电子今年可能会则逆势调降整体资本支出约15%,预估会来到115亿美元。拓墣表示,2016年三星的智慧型手机业务拓展仍不乐观,除加速开发创新业务,将更加重视晶圆代工业务,采取积极抢单的策略。2016年三星115亿美元的资本支出中,大规模集成电路业务会维持与2015年35亿美元的相同水准。

关键字:三星  存储器

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016042053264.html
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