高通骁龙830传年内发表、首发机Q1现身

2016-04-19 13:21:11来源: 精实新闻
    日本总和情报网站Gadget速报17日转述Fudzilla的报导指出,据可靠的消息人士透露,高通(Qualcomm)采用10nm FinFET制程生产的骁龙(Snapdragon)830处理器将在今年内(2016年内)发表,且搭载该款处理器的智慧手机产品(首发机)将在明年(2017年)Q1现身。
据报导,除骁龙830之外,目前也已知有比现行骁龙820拥有更高性能的骁龙823处理器的存在,而该款骁龙823产品似乎将持续采用14nm FinFET制程。
报导指出,从搭载骁龙830的智慧手机可能会在明年Q1现身这点来看,骁龙830可能将撘载在三星Galaxy S7、LG G5、小米Mi 5或宏达电(HTC;2498)HTC 10等旗舰机种的后继机种上。

微博爆料客i冰宇宙曾于1月22日爆料称,高通骁龙830(代号为“MSM8998”)将采用三星10nm制程、撘载改良版“Kryo”架构、且将支援8GB RAM,预计将在2017年初发布。
为了对抗高通骁龙820,联发科(2454)3月16日在深圳宣布自家十核心晶片Helio X20即将上市,且更在会场上发布更高阶的Helio X25(用来对抗骁龙823?);而联发科用来对抗骁龙830的产品,应该就是传闻将采用台积电(2330)10nm制程的Helio X30。
Arena、GSMArena 3月30日引述中国MTK手机网报导,知情人士透露,联发科X30将进一步深挖三丛十核的潜力,不仅确认会应用10奈米制程,且是采用台积电10nm FinFET工艺,预估最快6月就能成功“设计定案”(tape-out),有望年底实现量产。
韩国时报报导,Bernstein Research分析师Mark. C. Newman 3月10日发表研究报告指出,三星的进度虽然有些拖延,但仍可抢下“业界第一个10奈米晶圆代工厂”的头衔,台积电、英特尔将会紧跟在后,至于格罗方德(GlobalFoundries)则几乎赶不上。
Bernstein预估,三星的10奈米制程技术会在今年稍晚小幅投产,主要代工自家的处理器以及高通次代行动晶片组“Snapdragon 830”。不过,台积电仍不容小觑,拜产能庞大之赐,台积电也许将后来居上、产量会更多。

关键字:高通  骁龙830  Q1

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016041953233.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
高通
骁龙830
Q1

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved