中国 NAND Flash 制造的现况、发展与机会

2016-04-16 08:05:21来源: 拓墣产研
    紫光旗下同方国芯提出私募 800 亿元人民币的增资案,用于 Flash 产业。本篇报告分析中国和国际在 NAND 的现况和计画,讨论中国在 NAND 的发展机会。






拓墣产业研究所(TRI)在 2015 年报告中提到,2015 年 11 月 6 日中国同方国芯电子股份有限公司资产重整后,将成为紫光集团下的子公司。此外,同方国芯也提出私募 800 亿元人民币增资案,主要用于建造 Flash 工厂(75%)、收购力成 25%(4.7%),以及收购产业链上下游厂商(20.3%)。


若此 800 亿元人民币增资案通过政府审核同意执行,将是中国上交所成立至今最大的资金募集案。另一方面,若以 2014 年中国推动的集成电路产业基金规模来看,大基金至 2015 年止,筹资达 1,389 亿元人民币,同方本次增资规模已接近大基金规模 6 成,可看出推动 Flash 产业是高度资本集中,而本篇报告将检视中国 Flash 产业现况(特别着重在 Flash 晶片制造业)的发展和机会。

 

中国主要 Flash 晶圆制造商现况

武汉新芯

产能状况
武汉新芯为专业 Foundry 厂商,主要生产 NOR Flash 和 BSI CIS 等技术,12 寸晶圆月产能 2.2 万片;2014 年 NOR Flash 和 BSI 产能规划各为每月 1 万片和 1.2 万片,目前月产能配置仍维持在 2.2 万片,在产品上更多 Low Power Logic 和 NAND Flash。

人力与研发支援
武汉新芯在研发团队的创新力和执行力,得益于长期与中科院微电子研究所展开紧密的合作,在 3D NAND 项目,双方采用创新合作模式,即将双方专家在研发专案和人力资源的管理上,透过企业平台合为一体,此模式将中科院微电子所深厚的理论背景,与武汉新芯丰富的制造和研发经验有机会相结合。

国际合作与进展
在 2014 年中,武汉新芯成功将 NAND 技术由 55nm 推向 32nm(与Spansion 合作),至 2014 年底,武汉新芯与记忆体领域的世界级研发团队 Spansion(已并入 Cypress)组建联合研发团队,开始 3D NAND 专案的研发工作。2015 年 5 月 11 日武汉新芯宣布其项目研发取得突破性进展,第一个储存测试晶片通过记忆体功能的电学验证,虽然目前并未有相关细节流出,但此合作案目标将是在 2017 年量产出规格为 32 层的堆叠 4x nm 的 3D NAND。


中芯国际

中芯国际为全球第五大,也是中国第一大的晶圆制造厂商,主要是以逻辑 IC 的代工业务为主,虽在 2013 年退出武汉新芯的经营,但在 Flash 业务上仍未缺席。


2014 年以前,中芯国际已开发出一系列从 130nm 到 65nm 特殊 NORFlash 的记忆体生产平台,2014 年 9 月 10 日更是宣布 38nm NAND Flash 记忆体制程已准备就绪。

虽然由中芯国际公开的营收资讯中可看出 38nm NAND Flash 自推出至今,未在营收上崭露头角;然而中芯表示,此技术突破,说明中芯在技术多元化方面取得重要进展,也为后续开发更先进 2x / 1x nm 和 3DNAND Flash 记忆体的研发和量产奠定稳固基础,虽然不像武汉新芯在 NAND Flash 的成果和专注,但近期中国极力想突破记忆体自制缺口,此技术让中芯在未来可能进一步强化在 NAND Flash 记忆体的制造能力。

 

紫光集团:同方国芯定增

如前所述,同方国芯的大规模定增将投入到 Flash 的研发和制造(表二)。


紫光集团在此规划项目上,不如武汉新芯或中芯国际有较完整的技术累积,所以主要是透过资本和供应链协同方式进行操作(表三)。


目前紫光集团在 Flash 相关竞争中(表三),以中国内部和资金的角度而言,有机会取得领先(此次投入计画约在 180 亿美元,相对中芯国际 2015 年 Capex 约在 15 亿美元和 2016 年预计 21 亿美元而言,相当庞大),是紫光主要优势,但风险在没有技术支援下,如何让技术、量产能力能与资金同时到位,顺利转量产。

相对国际一线大厂 Samsung(2015 年 Capex 约在 135 亿美元和 2016 年预计 115 亿美元),此 2 年 180 亿美元计画,仍落后于 Samsung 2 年投入,如何确保紫光相关投入能达到与一线大厂投入相同的效果,将是投资要成功的最大困难点,在无既有营运支持下,当生产能力无法顺利到位,如何有资金维系工厂月产能 12 万片的营运与研发会是问题,紫光如何突破生产技术的取得和授权,将是整个投资最关键的环节。

 

外资晶圆制造企业在中国:Samsung 与 Intel

1. Samsung 西安 Flash 工厂产能拉高至每月产出 10 万片

目前以 Samsung 在中国的投资最为领先,Samsung 至 2015 年底投入西安厂的投资总金额已超过 50 亿美元,产能建置来到每月 8 万片,Samsung 于西安布建最先进的 3D NAND Flash 制程,预计 2016 年底将产能进一步拉升至每月 10 万片。

2. Intel 大连厂转为 3D NAND Flash 厂

Intel 则宣布投资 55 亿美元将原先 65nm 生产线的大连厂,改建为月产能 3 万片的 3D NAND Flash 厂,预计 2016 年先投入 15 亿美元,到 2016 年第四季开始投片生产,月产能估计达 1 万片。Samsung 和 Intel 在中国 NAND Flash 的产能建置,预估至 2016 年第四季将达到每月 11 万片,约占全球 NAND Flash 晶圆出货量 7.6%,若将 3D NAND 有单片较高的 bit 产出纳入考虑,加上中国厂商的进展,则 Made in China 的 NAND 位元数在 2017 年全球占比有机会达到 10%。

关键字:NAND  Flash

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016041653160.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
NAND
Flash

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved