三星DRAM连霸24年 2015年市占写下45%新高

2016-04-13 12:04:58来源: Digitimes 关键字:三星  DRAM
     三星电子(Samsung Electronics)连续24年蝉联全球DRAM存储器半导体市占率第一,为半导体产业写下新历史;2015年市占率达45.3%,营收突破200亿美元,不但刷新自身纪录,也成为存储器价格持续下跌声中,唯一还能获利的业者。
 
据韩媒Money Today报导,市调机构IHS资料显示,2015年三星DRAM营收为204.34亿美元,较2014年186.61亿美元成长9.5%,首次突破200亿美元。虽然全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元,但三星营收却逆势成长。
 
从整年度的市占率来看,三星占45.3%创下历史新高;排名第二的SK海力士(SK Hynix)为27.7%,营收124.89亿美元,较2014年126.66亿美元减少,但市占率微幅增加。第三名美光(Micron)的营收滑落到90.70亿美元,市占率也从24.6%下降到20%。
 
三星电子在1992年开发出64Mb DRAM之后,连续24年蝉联DRAM半导体全球市占率第一。三星能稳坐龙头地位的关键,在于拥有竞争对手难以超越的技术差距,这也是半导体市场价格持续滑落,三星仍能维持获利的原因。
 
三星致力于突破微细制程的瓶颈,率先进入10纳米级DRAM量产,欲以领先的技术竞争力掌握市场。继成功开发18纳米DRAM之后,下一个目标是开发10纳米前段(1z)的DRAM技术。
 
业界人士表示,2015年三星采用20纳米微细制程,成功销售许多高附加价值产品。由于能生产竞争者做不到的高性能产品,即便市场情况不佳,这类产品仍能维持一定价格,受影响程度相对较小。
 
与DRAM同属存储器半导体的NAND Flash市场情况类似。三星借由高速、低耗电的垂直构造V NAND技术,成为2015年第4季唯一NAND Flash营业额逆势成长的业者。
 
相较于竞争者才刚进入21纳米量产,准备提高21纳米量产比重,主力产品仍停留在25~30纳米阶段,日前三星证实已启动18纳米8Gb DDR4 DRAM量产。因此业界认为,三星与对手的技术差距已经拉开至2年以上,在市场上一枝独秀的情况可望延续至2016年。
 
三星计划在2016年要将10纳米级技术用于大部分DRAM产品,并且加速研发10纳米中段(1y)与10纳米前段(1z)的新一代DRAM技术。半导体事业负责人金奇南表示,有信心成功开发10纳米前段的DRAM技术。
 
三星在半导体市场占有的优势,对南韩的经济发展也有很大贡献。2015年南韩半导体的出口规模为629.16亿美元,占整体出口(5,267.57亿美元)比重的11.9%。
 
虽然南韩的整体出口规模萎缩,但半导体类别不减反增,写下出口规模新高,是也2001年之后,存储器类别占整体出口比重最高的一次。

关键字:三星  DRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016041353036.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:HTC Vive还没在香港卖?但会有VR网吧
下一篇:微软下个世代的豪赌:AI与机器人平台

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星
DRAM

小广播

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved