三星官网曝光极致利器 Note6会拥有它?

2016-04-07 19:51:57来源: 泡泡网 关键字:闪存  三星  芯片
    回顾今年的手机旗舰机型,众多厂商选择为自家的新一代旗舰产品配备了4GB RAM+128GB ROM内存组合的配置,然而历来走在手机制造业前端的三星公司貌似不仅仅满足于此,而是一直致力于研发更新、更快的UFS 2.0闪存来为用户带来更好的使用体验。

  在今年2月份的时候,就有传闻显示三星正在制造一款容量高达256GB的UFS 2.0闪存芯片,现在该芯片得详细信息已经于三星官网正式亮相了,那么或许今年晚些时候发布的GALAXY Note 6就将搭载该芯片上市了。

  从三星官网给出的信息来看,该芯片型号为KLUEG8U1EM-B0B1,封装尺寸为11.5x13x1.2mm(仅比32GB闪存厚了0.2mm),MLC采用双传输信道的G3 2Lane规格,是目前规格最高的USF 2.0闪存。

  性能方面,三星这款256GB的USF 2.0闪存芯片读/写操作IOPS分别可达45,000、40,000,比上一代UFS闪存快了一倍。此外,得益于串行界面以及全双工运行(可同时读写操作),三星这款UFS 2.0 256GB闪存的持续读、写速度分别可达850MB/s、260MB/s。其读取速度比大多数电脑上的SATA SSD都要快。

  此外,根据之前的消息,Note 6上的S Pen将在这个道路上再进一步,具备更多的人性化功能。已经曝光的三星专利显示,未来的三星S Pen将具备弯折功能,而借助该功能从机身中取出一半的S Pen经过弯折就可以充当手机支架使用,由此也可以看出Note 6或许将采用尺寸更为巨大的屏幕了。

  如此看来,为了和自家的S系列形成差异化,Note系列已经开始在寻找解决方案了,不过目前距离Note 6发布理论上还有将近半年的时间,更为详细的信息目前还不清楚,至于Note 6相比上一代又会有哪些改变,我们还是拭目以待三星官方的消息吧。

关键字:闪存  三星  芯片

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016040752887.html
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