技术落后同行数年 武汉新芯赶超三星是噱头?

2016-04-03 20:47:11来源: 中国经营报
      一方面以紫光集团为代表的中国企业在全球“买买买”,另一方面国家集成电路产业投资基金在国内加快“投投投”,中国芯片产业的动静越来越大。
    由国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金、湖北省科技投资集团共同投资240亿美元(约合人民币1600亿元)的存储器基地项目2016年3月28日宣布在武汉东湖高新区落地。该项目将在武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”)的基础上组建一家存储器公司,以芯片制造环节为突破口,最终成为集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产和测试、销售于一体的公司。
     该项目提出的目标是:到2020年、2030年存储器芯片月产能分别达到30万片、100万片,在产能上进入世界前五乃至前二,与韩国三星旗鼓相当。一家半导体公司的管理者告诉《中国经营报》记者,武汉新芯成为中国存储器芯片产业基地的消息在业内已流传一段时间了,而且为了应对中国方面的这一布局,行业巨头SK海力士扩充产能的项目已宣布将于2019年投产,东芝最近也推出3年扩产计划,未来几年这一领域很可能因为产能过剩掀起价格大战。
    有市场有资金
    中国半导体行业协会一位专家接受本报记者采访时表示,这一大手笔投资的依据是,2014年6月发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》,以及“制造强国“战略第一个十年计划——《中国制造2025》明确提出的“突破关系国家信息与网络安全及电子整机产业发展的核心通用芯片,提升国产芯片的应用适配能力”等;而推进存储芯片的原因则是,“存储器是最大宗的集成电路产品,也是我国进口金额最大的集成电路产品,但目前国产力量在这一领域基本上处于空白状态。”
    公开信息显示,武汉新芯2006年由湖北省政府和武汉市政府共同投资100亿元设立,是目前我国唯一一家以存储器为主的集成电路制造企业,湖北省科技投资集团是其唯一所有人。在武汉“光谷”地区,以武汉新芯为龙头,已初步形成了涵盖设计、制造、封装等环节的产业链。存储器基地项目落地以后,湖北希望在武汉“光谷”地区打造万亿级的芯片——显示产业——智能终端制造生态体系。
    目前,武汉新芯主要生产各种类型的NOR闪存,但今后这一领域的演进方向是3D NAND Flash。于是,武汉新芯在2013年通过技术交叉授权的方式,与美国Spansion公司合作,共同开发 3D NAND Flash技术。武汉新芯CBO陈少民表示,“武汉新芯在2013年取得了‘电荷捕获’技术的共同开发、交叉授权的协议,并同时拥有了这一知识产权。”“电荷捕获”技术是3D NAND Flash的重要专利,美国Spansion公司拥有该专利。武汉新芯COO洪沨也表示,通过授权合作方式,3D NAND Flash将成为中国记忆体芯片产业弯道超车的切入点。
    来自武汉新芯方面的信息显示,240亿美元将分为三个阶段投资:第一阶段建立一家专注于NAND闪存生产的工厂;第二阶段建立一家专注于DRAM芯片生产的工厂;第三阶段将建立起专门为供应商服务的能力。陈少民透露,“做3D NAND 需要大量合作伙伴,包括整个产业链的配套,从控制器、SSD模组到封装测试等,武汉新芯将与更多公司合作,与合作伙伴一起把这个存储器产业打造起来。”
    统计数据显示,在国内市场,NAND Flash和DRAM的采购规模达到66.7亿美元、120亿美元,分别占到了全球供货量的29.1%、21.6%,需求量非常大。不过,在NAND Flash市场,主要供应商三星、东芝、东芝、SK海力士、美光占据绝大多数市场份额;在DRAM市场,三星、SK海力士、美光占据90%以上的份额;国产在这些领域基本处于空白状态。如此来看,武汉新芯瞄准了一个极具诱惑力的市场。
    资金对武汉新芯来说也不是问题。公开数据显示,国家集成电路产业投资基金的总体规模已经达到1380亿元,湖北省集成电路产业基金也有500亿元的规模。而国家集成电路产业投资基金总经理丁文武已经明确,今年的重点之一就是支持存储器发展。
    无技术不长久
    但前述半导体公司管理者接受本报记者采访时认为,武汉新芯拿到240亿美元投资,看上去数额很大,实际上三星、SK海力士、美光今年资本支出规划分别达到151亿美元、51亿美元、38亿美元,仅就投资规模而言,并未与海外巨头拉开差距。
     该人士还表示,3D NAND是一种基于堆栈技术提升芯片存储效率的多层次存储技术,三星电子是该领域的“探路先锋”,目前已经实现48层堆叠,也是目前唯一已经实现3D NAND量产的制造商;其他企业比如SK海力士、美光科技等则是“跟随者”,也已经发展到32~36层堆叠;武汉新芯在2015年上半年刚刚宣布在“9层”堆叠上取得突破,技术方面并无优势可言。
    易观智库一位分析师也认为,武汉新芯在存储芯片技术方面落后同行数年,追赶尚且不易,在起步阶段就喊出赶超三星的口号实在有点“赚吆喝”的意思,应该吸取中国台湾地区相关产业投资失败的经验和教训。另外,该分析师还认为,2016年3D NAND芯片的生产成本已经降到比常规NAND芯片还低的水平,而武汉新芯大概要到2018年初才能量产,能否抓住市场机遇也是未知。
     对此,陈少民回应称,武汉新芯与竞争对手的差距只有“一代半”,“我们有信心在三代产品以后赶上国际厂商”。
    中国半导体行业协会专家则认为,虽然武汉新芯在技术能力方面落后三星电子、SK海力士等外资企业,但可以生产用于低价家电或者智能手机的产品,从占领低价市场开始,逐步扩大自己的市场占有率。
    对于我国半导体产业究竟应该“引进仿制”还是“自主创新”,业内一直是争议不断,前一种思路认为,普通使用的技术不存在“后门”,“引进仿制”是见效最快的做法;后一种思路认为要把核心技术掌握在自己手中,免得受制于人。
     中国工程院院士倪光南认为,很多之前引进的项目现在看来不应该引进,因为没有达到预期效果,有些项目甚至加剧了一些企业在中国市场的垄断定位;由此可见,“引进仿制”的路子在半导体产业是走不远的,将引进的技术披上国产的“马甲”是自欺欺人,科学技术花钱买不来,中国集成电路还是要走自主创新发展之路。

关键字:武汉新芯

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016040352770.html
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