欲抓紧"一代半"时间差 实现3D NAND的弯道超车

2016-03-29 08:16:46来源: 集微网
    原文标题:武汉新芯陈少民:欲抓紧"一代半"时间差 实现3D NAND的弯道超车
集微网消息 文/刘洋
 
3月28日,总投资240亿美金 (约1600亿元人民币)的“光谷”存储器基地项目在武汉市东湖高新区正式启动 。这一项目是湖北省自建国以来最大的单体投资项目,更成为国家发展集成电路产业的重大战略部署。
 
据悉,该基地2018年将实现3D NAND存储器的首次量产,2020年形成月产能30万片的生产规模,其中20万片3D NAND Flash和10万片DRAM,2030年预计达到每月产能100万片。武汉新芯商务长陈少民先生在启动仪式后接受集微网等媒体的采访,就目前武汉新芯的研发实力、市场空间和合作伙伴的选择做出详细解答。
 
与竞争对手技术相差一代半
 
2015年,武汉新芯与美国Spansion公司宣布合作开发与生产3D NAND闪存技术,同时签署共同开发和交叉授权协议。双方在3D NAND项目研发取得了突破性进展。据陈少民先生透露,去年5月,武汉新芯在“9层”上面取得了重大突破,读写擦都没问题。它就像模组一样,可以堆叠上去,目前我们已经加了很多层,在Channel Charge电流和可靠性上得到大幅提升。按照目前的既定目标和规划来看,2018年初武汉新芯将推出具有一定市场竞争力的存储器产品,更多细节并未被透露。
目前,以三星、东芝为首的国际NAND Flash大厂已实现48层堆叠的3D NAND存储器,SK海力士、美光快速发展至36/32层。对此,陈少民先生回应称,武汉新芯与竞争对手的差距只有一代半,我们有信心在三代产品后赶上国际厂商。其实,3D NAND技术就像是在挖隧道,做的越深可靠性就越低。就好比在很小的世界里盖房子,盖的越高就越需要支撑,这个非常难做。当然我们的技术已经通过专家的认证。
 
为何选择Spansion公司?
 
Spansion公司于2014年被Cypress并购。陈少民先生表示,Spansion是由AMD和富士通成立的合资公司,AMD早期做存储器,自1980年开始转型做处理器。对武汉新芯而言,Spansion曾经是闪存领域非常重要的供应商,拥有一大批核心专利和闪存方面的技术人才。
 
2014年,Spansion获得一项名为“电荷捕获(Charge Trap)”的重要专利技术。而目前拥有领先3D NAND技术的存储器企业均采用这一技术。Spansion还曾就电荷捕捉技术提告三星及苹果公司,后来与IBM公司达成交叉授权协议。武汉新芯也于2013年取得了这一技术的共同开发,交叉授权的协议,并同时拥有这一知识产权。
 
“当然,武汉新芯还会与更多公司合作。”陈少民先生讲道,“做3D NAND需要大量的合作伙伴,包括整个产业链的配套,从控制器,SSD模组到整个打造封装测试。我们秉持着开放的态度,兼容并包,希望与合作伙伴一起把这个存储器产业打造起来。”
 
弯道超车的绝佳时间点
 
2006年武汉新芯成立,2008年NOR Flash实现量产。陈少民先生指出,2013年杨士宁博士带着国际团队加入武汉新芯,用国际的视野和管理方式治理公司,于2013年开展了3D NAND的项目,不仅赶上了绝佳时间点,更于2015年取得了技术突破。“无论从市场、人才、布局和管理来看,武汉新芯拥有了弯道超车的转折点,这也是存储基地项目落地的根本原因之一。”
 
以一片12寸硅片可切割为700颗芯片来计算,2018年武汉新芯每年将生产出总量约25.2亿(700*30万*12)个存储器产品。“这一数值根据目前存储器市场的整体发展速度来看,将占据全球的11-13%。而2018年预计中国的NAND Flash需求量全球占比可能有40-50%,仅仅是国内自己的供应链仍是非常不足的。”陈少民讲道。
 
一方面,中国的存储芯片产业基本空白,几乎100%依赖进口。三星、美光、东芝、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元,占据全球95%以上的市场份额。而中国每年进口的存储芯片占比55%,国内厂商却从未曾参与进来。另一方面,先进工艺的物理节点将至,2D NAND Flash无法满足主流存储器对性能、功耗和可靠性的更高要求,3D NAND为国内厂商进入主流存储器制造领域提供了更好的机会。最后,也是最重要的一点,存储器广泛应用于手机、电脑、云计算和物联网中,是一个明星产业,预计未来将以10%的复合增长率保持增长。
 
3D NAND技术,无论对于任何厂商来说都是全新的技术。“只要你在科技领域,积极的参与,大胆的投入就会带来机会。如果没有抓住这个时间点,一切将会太迟。”陈少民表示,在全球互联网公司正将云上存储转换成闪存的趋势下,一旦我们可以在2018年顺利量产,并在2020年达到30万片的产能。三代产品内将质量赶上来,必将改变现有的全球存储器领域格局,扭转竞争态势。

关键字:3D  NAND

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016032952600.html
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