中芯国际进军RRAM存储,蚕食三星40nm产能

2016-03-16 08:19:59来源: 国际电子商情
    近日,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际(SMIC),与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar,共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。

 作为双方合作的一部分,中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议,基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺,提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件,以应对物联网可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。

  中芯国际曾发展过130nm到65nm制程的NOR闪存,2014年自主研发的38nm制程取得突破,继而转向更加先进的NAND闪存,将使用40nm工艺代工RRAM阻变式存储器芯片,意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。

  RRAM元件能够集成到标准的CMOS逻辑工艺当中,在标准CMOS晶圆的两条金属线之间。这将促成高度集成的非易失性存储器解决方案的实现,将片上非易失性存储器、处理器核、模拟及射频集成在一个单独的芯片上。

  高度集成的MCU及SoC设计厂商需要非易失性存储器技术,Crossbar的RRAM CMOS兼容性及对更小工艺尺寸的可扩展性使非易失性存储器组件在更低工艺节点的MCU和SoC中集成成为可能。

  中芯国际能够帮助Crossbar摊薄芯片成本,缩短入市时间。

  目前,中国半导体政策目前主攻存储器产业,2015年以来也透过不断并购相关供应链来加快成长脚步,晶圆产能扩充积极。中国半导体政策持续带给三星存储器部门一定的竞争压力,势必分散三星在晶圆代工产业的专注度。

关键字:中芯国际  RRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2016031652290.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
中芯国际
RRAM

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved