datasheet

NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%

2019-01-12来源: CTIMES 关键字:NAND Flash

TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出,NAND Flash市场经历2018年全年供过于求,2019年在笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现难见起色下,预计产能过剩难解,因而使得供应商进一步降低资本支出以放缓扩产进程,避免单位成长过多导致过剩状况加剧。

根据DRAMeXchange调查指出,2018年因供过于求难以遏制,韩国供应商带头降低资本支出,NAND Flash总体资本支出下调近10%,但仍无法翻转供需失衡情形,2019年转为美国厂商减少资本支出,使得NAND Flash整体资本支出较2018年持续下滑约2%,总支出规模约为220亿美元。

受到供应商调整扩产计划影响,尽管各供应商已于2018年第四季起量产92/96层3D NAND,但直至2019年底将仅占约32%单位产出,而64/72层的产出占比仍有逾50%,供应商放缓制程的推进,造成2019年NAND Flash单位成长将仅约38%,相比2018年逾45%水准明显下降。

观察各供应商产能调整,DRAMeXchange指出,三星持续减产2D NAND产能,加上92层制程消耗更多的厂房空间,2019年运转产能将较2018年底下调,单位产出成长率降至约35%,由于三星全球市占率约3成,三星位元产出成长率的放缓对全球产出成长影响较大;SK海力士、东芝/威腾分别有M15以及Fab 6的新厂扩建,但同样受到减产计划或转产旧制程的影响,产出年成长率有机会低于原先预期,SK海力士和东芝/威腾原先单位产出成长率预估值分别约为50%与40%水准,但DRAMeXchange预期会各自下修到50%以下,以及约35%的水位,以反映今年市场需求的急冻;美光的新加坡新厂则要等到2020年才正式量产,因此全年产能几乎维持不变;英特尔则除了填满大连厂产能,并无宣布其他扩产规划,美光与英特尔阵营2019年整体单位产出成长接近40%水准,相较2018年45%以上的成长幅度明显收敛。

从2019年NAND Flash价格走势来看,DRAMeXchange指出,由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅,皆明显高于原先的预期,显示原厂正面临庞大的库存压力。

因此,NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%,一举提高至20%水准,第二季报价可能将续跌将近15%,下半年虽有旺季需求帮助,跌幅可望略微收敛,但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水准,端看原厂们是否能再进一步降低自身产出水位。

综上所述,DRAMeXchange认为,今年旺季若仍无足够需求动能支撑,NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水准,近乎腰斩。


关键字:NAND Flash

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2019/ic-news011292875.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:vivo社区泄露内部邮件
下一篇:最后一页

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

2019年NAND Flash洗牌淘汰赛一触即发

从2017年供不应求的荣景,NAND Flash市况在2018年进入风云变色的调整期,生产业者持续扩大64层3D TLC NAND供货,新一代制程技术及更大容量规格正伺机而出,供过于求与终端市场买气不足,导致2018年NAND Flash跌价幅度超过6成。到2018年底,每GB价格已下探至0.08美元,逐渐逼近部分厂商的成本价,在跌价、扩产等多重因素影响下,2019年市况风云诡谲,供应链洗牌淘汰赛一触即发,也为全球产业的竞合局势更加增添烟消四起的氛围。NAND位元产出连年成长 终端市场乱象横生DRAM与NAND Flash存储器市场在过去几年几经产业跌宕,在供过于求压力下,2015~2016年市价下滑,2017年再度风生水起、涨势
发表于 2019-01-03
2019年NAND Flash洗牌淘汰赛一触即发

存储器产业持续低迷,2019年如何破局?

近来, DRAM 和NAND Flash全球价格双双下跌。对于存储芯片厂商来说,这个冬天不好过,有的紧衣缩食,有的报团取暖。展望2019年, 存储器产业 是否还会持续低迷?经过两年多的涨价潮,DRAM的风光不再,10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%。今年第四季DRAM价格正式反转向下,11月合约价甚至出现二次下跌的状况,预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的分析,2018年NAND Flash供应商3D 64层产品良率稳定,产出高于预期。由于淡季影响,加上市场库存水位仍高,供过于求的情况只会更加显着,预估第一季NAND Flash合约价将再进一步走跌
发表于 2018-12-27
存储器产业持续低迷,2019年如何破局?

DRAM和NAND Flash价格继续下跌,多家公司受牵连

Baird 分析师 Tristan Gerra 周二 (2) 将美光科技降评至劣于大盘 (underperform),理由是该公司将受到存储器价格暴跌的长期影响。 截稿前,美光股价下跌 2.01%,暂报 36.09 美元。由于投资者越来越担心半导体周期恶化,其股价在过去三个月下跌超过 20%。  Baird 将美光从「优于大盘」下调至「劣于大盘」,目标价格从 75 美元下调至 32 美元,这意味着该股可能再下滑 12% 左右。 分析师 Tristan Gerra 在周二写给客户的报告当中提到:「DRAM 和 NAND Flash 价格持续恶化,导致连续 8 季的毛利率和每股纯益萎缩,NAND
发表于 2018-11-21
DRAM和NAND Flash价格继续下跌,多家公司受牵连

仅需一年多时间见成效!中国Nand Flash进逼,韩国企业警戒

芯科技消息(文/西卡)中国的存储半导体什么时候会增长到威胁韩国的程度呢?韩国业界认为,相较DRAM的发展,Nand Flash领域看起来能更快追上韩国。尤其随着美国向中国内存企业福建晋华集成电路施压,更确认了这一发展的趋势。        一般认为,比起门坎较高的DRAM,中国企业进入NAND领域会成长得更快。如今美国直接施压,预计DRAM和NAND内存的发展差距会进一步拉大。虽然也有人认为,美国可能会对所有中国内存企业施压,但和从去年福建晋华与美光公司的诉讼问题不同,目前NAND领域并未出现特别的制裁措施,况且美国在找不到理由的情况下,可能也无法任意制裁中国企业。   
发表于 2018-11-07
仅需一年多时间见成效!中国Nand Flash进逼,韩国企业警戒

终端需求前景黯淡,10月份NAND Flash颗粒/Wafer合约价跌幅显著

        集微网消息,根据集邦咨询半导体研究中心调查,2018年NAND Flash市场全年供过于求。由于笔记本电脑及智能手机OEM库存皆已备足,再加上中美贸易摩擦、英特尔CPU缺货等影响,对于需求动能可以说是雪上加霜。因此,10月份除了SSD、eMMC/UFS价格持续下跌外,各类NAND Flash颗粒及Wafer产品的合约价跌幅更为显著。        DRAMeXchange分析师叶茂盛指出,在SLC NAND颗粒方面,中美贸易摩擦的效应持续蔓延,中兴被美国撤销制裁后,原本预计于第三季开出的网通标案并未如想象中顺利推进,但制造商已预先准备
发表于 2018-11-07

SK海力士96层3D NAND Flash 力拼2018年底量产

SK海力士(SK Hynix)研发出96层3D NAND Flash,首创电荷储存式快闪存储器(Charge Trap Flash;CTF)与Peri Under Cell(PUC)技术结合,让产品的性能与容量优于72层3D NAND Flash,目标2018年底前量产。据ET News报导,SK海力士表示成功研发采用CTF的96层「4D NAND Flash」,结合PUC与CTF记忆单元结构,大幅改善产品性能与生产力,预定在2018年底进行首批量产。SK Hynix宣称的4D NAND Flash,本质上仍是3D NAND Flash,命名4D只是强化商业营销的一种手段。CTF技术可减少记忆单元(cell)间
发表于 2018-11-05

小广播

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2018 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved