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2019年NAND Flash洗牌淘汰赛一触即发

2019-01-03来源: DIGITIMES 关键字:NAND Flash  DRAM

从2017年供不应求的荣景,NAND Flash市况在2018年进入风云变色的调整期,生产业者持续扩大64层3D TLC NAND供货,新一代制程技术及更大容量规格正伺机而出,供过于求与终端市场买气不足,导致2018年NAND Flash跌价幅度超过6成。


到2018年底,每GB价格已下探至0.08美元,逐渐逼近部分厂商的成本价,在跌价、扩产等多重因素影响下,2019年市况风云诡谲,供应链洗牌淘汰赛一触即发,也为全球产业的竞合局势更加增添烟消四起的氛围。



NAND位元产出连年成长 终端市场乱象横生


DRAM与NAND Flash存储器市场在过去几年几经产业跌宕,在供过于求压力下,2015~2016年市价下滑,2017年再度风生水起、涨势不止,然而产业荣景未如预期延续,各家大厂竞相强化投资规模,3D NAND Flash新增产能开出,市场需求却成长平缓,加速2018年全球NAND Flash价格一路走跌。


受到技术与良率瓶颈,2018年3D NAND良率提升速度并不如预期顺利,因而导致次级品在外流通销售,进而干扰市场价格,对应至终端应用,消费型SSD市场首当其冲。


从2017年12月中~2018年第3季跌价幅度已经逾5成,120G SSD价格超跌下探0.2美元/GB关卡,质量参差不齐的问题延续至第3季,至于240GB和480GB价格在2018年累积跌幅也分别超过4~5成以上。


业界原先期待在第3季传统旺季效应下,NAND Flash价格有望止跌反弹,不料智能型手机出货平淡、换机热潮难再重现以及PC市场饱和等因素,导致旺季不旺,而供应端的64/72层3D NAND产出增加,供给过剩库存无法顺利去化,第3季平均合约价格跌幅达10~15%。


相较于第3季市况呈现价跌量增,到了第4季进入了价量齐跌的局面,美中贸易战升温的市场忧虑、英特尔(Intel)CPU缺货以及苹果(Apple)新机销售欠佳,终端预期跌价心理因素,加速了第4季合约价跌幅扩大,业界估计,从年初至第4季的NAND Flash跌幅约达6成,远超过年初预期。


据DIGITIMES Research估计,NAND Flash位元出货量从2017年起连续呈现3~4成的成长率,包括在2017年成长36%、2018年拉升至成长43%,即使业界预期,2019年NAND Flash价格将会进一步走跌,但依旧有更多产能前仆后继投入,预计2019年位元出货量仍达到39%,整体市场延续供过于求风雨欲来。 


96层堆叠迈向主流 QLC量产带来容量价格战


NAND Flash技术制程的升级,在强化了个别企业的竞争力之余,也发挥了大容量及储存密度的成本优势,国际大厂如三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)与威腾(WD)、美光(Micron)、英特尔、SK海力士(SK Hynix)投入军备竞赛的战线延长。


目前3D NAND已是各大原厂主要量产制程,其中,三星3D NAND约占85%、东芝与威腾为75%、美光达到90%,SK海力士也达到60%,2018年下半起,部分业者已转向96层堆叠迈进,单颗Die容量也迈入1Tb(128GB)。


各家NAND业者大举进攻新世代制程,2018年也是QLC(4bit/cell)架构量产元年,相较目前TLC NAND,QLC NAND技术的位元密度高出了33%,将可发挥高容量优势。


其中美光抢得业界先发量产,首先将64层QLC产品推入企业级应用,锁定服务器市场,而三星也不甘示弱切入消费性电子市场,并推出1Tb QLC SSD新品,后续再推出企业用QLC SSD。三星近期宣布QLC SSD产品价格,比起2018年1月上市相同容量的TLC SSD约便宜40%左右,俨然透露出积极价格攻势的强烈企图。


部分反应较快的厂商早,已嗅到大容量价格战的到来,从年中起陆续降价出清库存的中小型容量SSD,试图降低QLC带来的冲击,接下来SK海力士、威腾与东芝也将各自推出自家的QLC产品,容量最高可达单颗4TB的储存量,TB级SSD时代即将来临。


不过先前一度传出64层QLC良率偏低,QLC晶粒良率仅约5成左右,以此估计,2019年上半恐怕将再度重演2018年市场次级品拖累价格的梦魇,且QLC制程更为困难,估计业界改善量产良率的时间可能会再拖长。


大陆存储器业者崛起 NAND扮演领头羊


据大陆市调公司统计,2018年全球半导体市场规模达到1,500亿美元,其中NAND Flash超过570亿美元,而大陆市场消耗了全球产能的32%,这意味着大陆已成为全球主要的市场,为了摆脱长期对外采购的依赖,大陆存储器芯片自主发展成为当务之急。


关键字:NAND Flash  DRAM

编辑:baixue 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2019/ic-news010392459.html
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